Patterning GaSe by High-Powered Laser Beams (Запись № 662549)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 04048nlm1a2200397 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030041825.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\33704 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\33690 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20200902a2020 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Patterning GaSe by High-Powered Laser Beams |
| Первые сведения об ответственности | D. L. Cheshev, R. D. Rodriguez (Rodriges) Contreras, A. Matkovic [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | We report the high-powered laser modification of the chemical, physical, and structural properties of the two-dimensional (2D) van der Waals material GaSe. Our results show that contrary to expectations and previous reports, GaSe at the periphery of a high-power laser beam does not entirely decompose into Se and Ga2O3. In contrast, we find unexpectedly that the Raman signal from GaSe gets amplified around regions where it was not expected to exist. Atomic force microscopy (AFM), dielectric force microscopy (DFM), scanning electron microscopy (SEM), and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX) results show that laser irradiation induces the formation of nanoparticles. Our analyses demonstrate that, except for a fraction of Ga2Se3, these nanoparticles still belong to the GaSe phase but possess different electrical and optical properties. These changes are evidenced in the increased Raman intensity attributed to the near-resonance conditions with the Raman excitation laser. The elemental analysis of nanoparticles shows that the relative selenium content increased to as much as 70% from a 50:50 value in stoichiometric GaSe. This elemental change is related to the formation of the Ga2Se3 phase identified by Raman spectroscopy at some locations near the edge. Further, we exploit the localized high-power laser processing of GaSe to induce the formation of Ag–GaSe nanostructures by exposure to a solution of AgNO3. The selective reaction of AgNO3 with laser-irradiated GaSe gives rise to composite nanostructures that display photocatalytic activity originally absent in the pristine 2D material. The photocatalytic activity was investigated by the transformation of 4-nitrobenzenethiol to its amino and dimer forms detected in situ by Raman spectroscopy. This work improves the understanding of light–matter interaction in layered systems, offering an approach to the formation of laser-induced composites with added functionality. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | ACS Omega |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 5, iss. 17 |
| Обозначение тома | [P. 10183–10190] |
| Дата публикации | 2020 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Cheshev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. L. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Specialist in the field of material science |
| -- | Engineer of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 2000- |
| Расширение инициалов личного имени | Dmitry Leonidovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\47385 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Rodriguez (Rodriges) Contreras |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | R. D. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Venezuelan physicist, doctor of science |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1982- |
| Расширение инициалов личного имени | Raul David |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\39942 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Matkovic |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. |
| Расширение инициалов личного имени | Aleksandar |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Ruban |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. S. |
| Дополнения к именам, кроме дат | geologist |
| -- | engineer of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1991- |
| Расширение инициалов личного имени | Aleksey Sergeevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34023 |
| 701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Chen Jin-Ju |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Sheremet |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | E. S. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1988- |
| Расширение инициалов личного имени | Evgeniya Sergeevna |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\40027 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Исследовательская школа химических и биомедицинских технологий |
| Идентифицирующий признак | (2017- ) |
| -- | 8120 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23537 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20221129 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/64864 |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1021/acsomega.0c01079 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 662549 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.