Glancing Angle Deposition of Zn-Doped Calcium Phosphate Coatings by RF Magnetron Sputtering (Запись № 663377)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 03513nlm1a2200505 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030041852.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\34546 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\31973 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20210209a2019 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Glancing Angle Deposition of Zn-Doped Calcium Phosphate Coatings by RF Magnetron Sputtering |
Первые сведения об ответственности | K. A. Prosolov, O. A. Belyavskaya, J. Linders [et al.] |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: 62 tit.] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | Zn-substituted hydroxyapatite with antibacterial effect was used in radiofrequency (RF) magnetron deposition of calcium phosphate coating onto Ti- and Si-inclined substrates. The development of surface nanopatterns for direct bacteria killing is a growing area of research. Here, we combined two approaches for possible synergetic antibacterial effect by manufacturing a patterned surface of Zn-doped calcium phosphate using glancing angle deposition (GLAD) technique. A significant change in the coating morphology was revealed with a substrate tilt angle of 80°. It was shown that an increase in the coating crystallinity for samples deposited at a tilt angle of 80° corresponds to the formation of crystallites in the bulk structure of the thin film. The variation in the coating thickness, uniformity, and influence of sputtered species energy on Si substrates was analyzed. Coatings deposited on tilted samples exhibit higher scratch resistance. The coating micro- and nano-roughness and overall morphology depended on the tilt angle and differently affected the rough Ti and smooth Si surfaces. GLAD of complex calcium phosphate material can lead to the growth of thin films with significantly changed morphological features and can be utilized to create self-organized nanostructures on various types of surfaces. |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | Coatings |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 9, iss. 4 |
Обозначение тома | [220, 17 p.] |
Дата публикации | 2019 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | RF magnetron sputtering |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | plasma-assisted deposition |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | biocompatibility |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | GLAD |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | ion-substituted apatites |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | магнетронное распыление |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | плазменное напыление |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | биосовместимость |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Prosolov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | K. A. |
Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
-- | Junior research fellow of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1991- |
Расширение инициалов личного имени | Konstantin Alexandrovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\47153 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Belyavskaya |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | O. A. |
Расширение инициалов личного имени | Olga Andreevna |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Linders |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | J. |
Расширение инициалов личного имени | Jurgen |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Loza |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | K. |
Расширение инициалов личного имени | Katerina |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Primak |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | O. |
Расширение инициалов личного имени | Oleg |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Mayer |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | Ch. |
Расширение инициалов личного имени | Christian |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Rau |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | J. V. |
Расширение инициалов личного имени | Julietta |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Epple |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | M. K. |
Расширение инициалов личного имени | Mattias Kristian |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Sharkeev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | Yu. P. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
Даты | 1950- |
Расширение инициалов личного имени | Yury Petrovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32228 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов |
Идентифицирующий признак | (2017- ) |
-- | 8118 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23551 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20220330 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.3390/coatings9040220 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 663377 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.