Modelling of transition zone formation between thin Si or Ta film deposited on TiNi under low-energy electron beam irradiation (Запись № 663931)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03175nlm1a2200469 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041912.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\35101
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\32670
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20210318a2019 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Modelling of transition zone formation between thin Si or Ta film deposited on TiNi under low-energy electron beam irradiation
Первые сведения об ответственности A. G. Knyazeva, O. N. Kryukova, A. L. Maslov
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 52 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Nickel titanium or nitinol is very often coated by biocompatible and corrosion-resistant silicon and tantalum coatings. One of the methods for the formation of a continuous transition zone between the coating and nitinol is pulsed or continuous electron beam treatment. Surface heating accelerates diffusion processes that facilitate the formation of new phases. However, the interpretation of experimental results is hindered due to the impossibility of directly observing the processes. Here we model the phenomena accompanying the transition zone formation. The mathematical model used takes into account thermal and diffusion phenomena and the stages of the main chemical reactions in the heated area. Numerical studies revealed that the transition zone for the two types of films is formed differently: in the case of silicon the transition zone grows inside nickel titanium, while in the case of tantalum it is formed mainly in the area of the deposited film. The interaction of competing stages determines the absence of regularities in the oxide phase formation under varying treatment conditions.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Materials Research Express
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 6, iss. 10
Обозначение тома [1065g5, 11 p.]
Дата публикации 2019
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин titanium nickelide
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин coating
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин transient zone
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин chemical reactions
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин modeling
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин никелид титана
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин покрытия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин переходные зоны
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин химические реакции
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин моделирование
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Knyazeva
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. G.
Дополнения к именам, кроме дат Russian physicist
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, doctor of physico-mathematical Sciences
Даты 1962-
Расширение инициалов личного имени Anna Georgievna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32712
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Kryukova
Часть имени, кроме начального элемента ввода O. N.
Расширение инициалов личного имени Olga Nikolaevna
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Maslov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. L.
Расширение инициалов личного имени Aleksey Leonidovich
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа новых производственных технологий
-- Отделение материаловедения
-- 7871
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23508
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20210318
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1088/2053-1591/ab41a5
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 663931
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.