Ion-Induced Defects in Graphite: A Combined Kelvin Probe and Raman Microscopy Investigation (Запись № 664324)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 03915nlm1a2200553 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030041925.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\35508 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\35368 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20210408a2019 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
102 ## - Страна публикации или производства | |
Страна публикации | |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Ion-Induced Defects in Graphite: A Combined Kelvin Probe and Raman Microscopy Investigation |
Первые сведения об ответственности | R. D. Rodriguez (Rodriges) Contreras, Z. Khan, Ma Bing [et al.] |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: 38 tit.] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | Carbon nanomaterials are important for future sensors and electronics. Defects determine the material properties, therefore, it is critical to find new ways to investigate defects at the nanoscale. In this context, Raman spectroscopy (RS) is the tool of choice to study defects in carbon nanomaterials. On the other hand, Kelvin probe force microscopy (KPFM) provides structural and surface potential information at the nanoscale. Here, the authors demonstrate the synergistic application of these methods in the investigation of ion-beam-induced defects in graphite. KPFM and RS imaging are used for visualizing ion-induced defects in a wide range of ion doses from 1010 to 1016 ions cm-2. For the lower range of ion dose, the authors find that RS provides image contrast for the different defect regions in graphite up to a dose of 5•1013 ions cm-2. For higher doses, the sp2 carbon concentration becomes so small that the Raman spectra get dominated by broad amorphous carbon bands. For this dose range, the KPFM contrast allows the defective regions to be differentiated. This contrast in KPFM originates from sp3 carbons that act as charge traps. The results show that KPFM and Raman microscopy make a powerful and necessary combination for studying the spatial distribution of defects in carbon. |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | Physica Status Solidi A |
Сведения, относящиеся к заглавию | Journal |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 216, iss. 19 |
Обозначение тома | [1900055, 8 p.] |
Дата публикации | 2019 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | дефекты |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | графиты |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | микроскопия |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | углеродные наноматериалы |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | рамановская спектроскопия |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Rodriguez (Rodriges) Contreras |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | R. D. |
Дополнения к именам, кроме дат | Venezuelan physicist, doctor of science |
-- | Professor of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1982- |
Расширение инициалов личного имени | Raul David |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\39942 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Khan |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | Z. |
Расширение инициалов личного имени | Zoheb |
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Ma Bing |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Mukherjee |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. |
Расширение инициалов личного имени | Ashutosh |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Meszmer |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | P. |
Расширение инициалов личного имени | Peter |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Kalbacova |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | Ja. |
Расширение инициалов личного имени | Jana |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Garratt |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | E. |
Расширение инициалов личного имени | Elias |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Harsha |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. |
Расширение инициалов личного имени | Shah |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Heilmann |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | J. |
Расширение инициалов личного имени | Jens |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Hight Walker |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. R. |
Расширение инициалов личного имени | Angela |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Wunderle |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | B. |
Расширение инициалов личного имени | Bernhard |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Sheremet |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | E. S. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Professor of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1988- |
Расширение инициалов личного имени | Evgeniya Sergeevna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\40027 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Hietschold |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | M. |
Расширение инициалов личного имени | Michael |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Zahn |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. R. T. |
Расширение инициалов личного имени | Dietrich |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Инженерная школа новых производственных технологий |
-- | Отделение материаловедения |
-- | 7871 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23508 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Исследовательская школа химических и биомедицинских технологий |
Идентифицирующий признак | (2017- ) |
-- | 8120 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23537 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20210409 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1002/pssa.201900055 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 664324 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.