Ion-Induced Defects in Graphite: A Combined Kelvin Probe and Raman Microscopy Investigation (Запись № 664324)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03915nlm1a2200553 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041925.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\35508
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\35368
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20210408a2019 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Ion-Induced Defects in Graphite: A Combined Kelvin Probe and Raman Microscopy Investigation
Первые сведения об ответственности R. D. Rodriguez (Rodriges) Contreras, Z. Khan, Ma Bing [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 38 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Carbon nanomaterials are important for future sensors and electronics. Defects determine the material properties, therefore, it is critical to find new ways to investigate defects at the nanoscale. In this context, Raman spectroscopy (RS) is the tool of choice to study defects in carbon nanomaterials. On the other hand, Kelvin probe force microscopy (KPFM) provides structural and surface potential information at the nanoscale. Here, the authors demonstrate the synergistic application of these methods in the investigation of ion-beam-induced defects in graphite. KPFM and RS imaging are used for visualizing ion-induced defects in a wide range of ion doses from 1010 to 1016 ions cm-2. For the lower range of ion dose, the authors find that RS provides image contrast for the different defect regions in graphite up to a dose of 5•1013 ions cm-2. For higher doses, the sp2 carbon concentration becomes so small that the Raman spectra get dominated by broad amorphous carbon bands. For this dose range, the KPFM contrast allows the defective regions to be differentiated. This contrast in KPFM originates from sp3 carbons that act as charge traps. The results show that KPFM and Raman microscopy make a powerful and necessary combination for studying the spatial distribution of defects in carbon.
461 ## - Уровень набора
Заглавие Physica Status Solidi A
Сведения, относящиеся к заглавию Journal
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 216, iss. 19
Обозначение тома [1900055, 8 p.]
Дата публикации 2019
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин дефекты
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин графиты
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин микроскопия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин углеродные наноматериалы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин рамановская спектроскопия
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Rodriguez (Rodriges) Contreras
Часть имени, кроме начального элемента ввода R. D.
Дополнения к именам, кроме дат Venezuelan physicist, doctor of science
-- Professor of Tomsk Polytechnic University
Даты 1982-
Расширение инициалов личного имени Raul David
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\39942
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Khan
Часть имени, кроме начального элемента ввода Z.
Расширение инициалов личного имени Zoheb
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ma Bing
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Mukherjee
Часть имени, кроме начального элемента ввода A.
Расширение инициалов личного имени Ashutosh
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Meszmer
Часть имени, кроме начального элемента ввода P.
Расширение инициалов личного имени Peter
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Kalbacova
Часть имени, кроме начального элемента ввода Ja.
Расширение инициалов личного имени Jana
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Garratt
Часть имени, кроме начального элемента ввода E.
Расширение инициалов личного имени Elias
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Harsha
Часть имени, кроме начального элемента ввода S.
Расширение инициалов личного имени Shah
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Heilmann
Часть имени, кроме начального элемента ввода J.
Расширение инициалов личного имени Jens
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Hight Walker
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. R.
Расширение инициалов личного имени Angela
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Wunderle
Часть имени, кроме начального элемента ввода B.
Расширение инициалов личного имени Bernhard
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sheremet
Часть имени, кроме начального элемента ввода E. S.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Professor of Tomsk Polytechnic University
Даты 1988-
Расширение инициалов личного имени Evgeniya Sergeevna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\40027
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Hietschold
Часть имени, кроме начального элемента ввода M.
Расширение инициалов личного имени Michael
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Zahn
Часть имени, кроме начального элемента ввода D. R. T.
Расширение инициалов личного имени Dietrich
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа новых производственных технологий
-- Отделение материаловедения
-- 7871
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23508
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа химических и биомедицинских технологий
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8120
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23537
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20210409
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1002/pssa.201900055
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 664324
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.