All-inkjet-printed MoS2 field-effect transistors on paper for low-cost and flexible electronics (Запись № 664475)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03492nlm1a2200505 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041931.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\35659
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\35452
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20210415a2020 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие All-inkjet-printed MoS2 field-effect transistors on paper for low-cost and flexible electronics
Первые сведения об ответственности Jiang Zhi, Chen Long, Chen Jin-Ju [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания All-inkjet-printing of transistors has received much attention for low cost and flexible integrated circuits. However, most flexible field-effect transistors (FETs) based on the emerging two-dimensional materials suffer from the high cost of substrate and electrode materials. The requirements for high-temperature synthesis and precise control in processing add another layer of complexity. To overcome these issues, low-cost flexible paper-based MoS2 FETs were fabricated by inkjet printing of MoS2 channel materials on paper. Additionally, we proposed and achieved the mask-less and low-temperature formation of source and drain electrodes on paper using in-situ selective-area copper reduction. A low sub-threshold swing of 80 mV/dec, high on/off ratio of 105, and very high turn-on current (Ion) of 200 ?A of the paper-based flexible MoS2 FETs were demonstrated using the proposed low-cost and facile all-inkjet-printing technique. The all-inkjet-printing technique assisted by in-situ copper reduction opens new opportunities for low-cost and batch fabrication of paper-based electronic devices in ambient conditions.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Applied Nanoscience
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 10, iss. 9
Обозначение тома [P. 3649–3658]
Дата публикации 2020
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин MoS2
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин sub-threshold swing
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин FETs
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин nanosheets
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин нанолисты
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Jiang Zhi
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Chen Long
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Chen Jin-Ju
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Wang Yan
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Xu Zhao-quan
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sowade
Часть имени, кроме начального элемента ввода Enrico
Расширение инициалов личного имени E.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Baumann
Часть имени, кроме начального элемента ввода Reinhard
Расширение инициалов личного имени R. R.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sheremet
Часть имени, кроме начального элемента ввода E. S.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Professor of Tomsk Polytechnic University
Даты 1988-
Расширение инициалов личного имени Evgeniya Sergeevna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\40027
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Rodriguez (Rodriges) Contreras
Часть имени, кроме начального элемента ввода R. D.
Дополнения к именам, кроме дат Venezuelan physicist, doctor of science
-- Professor of Tomsk Polytechnic University
Даты 1982-
Расширение инициалов личного имени Raul David
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\39942
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Feng Zhesheng
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8118
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23551
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа химических и биомедицинских технологий
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8120
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23537
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20210415
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1007/s13204-020-01438-3
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 664475
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.