Structural and optical study of Zn-doped As2Se3 thin films: Evidence for photoinduced formation of ZnSe nanocrystallites (Запись № 664873)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 03006nlm1a2200433 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030041944.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\36058 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\35939 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20210525a2019 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Structural and optical study of Zn-doped As2Se3 thin films: Evidence for photoinduced formation of ZnSe nanocrystallites |
Первые сведения об ответственности | Yu. M. Azhniuk, D. I. Solonenko, E. S. Sheremet [et al.] |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: 79 tit.] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | Amorphous Zn-doped As2Se3 films with a nominal zinc content x up to 10 at.% were prepared by thermal evaporation. Their structure is characterized by atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX), X-ray photoemission spectroscopy (XPS), and Raman spectroscopy. The AFM data show a considerable increase of the film surface roughness for films with x > 5 at.%. A strong gradient of the Zn content decreasing into the film depth is confirmed by the EDX and XPS data. Heavily Zn-doped (above 7 at.%) As2Se3 films reveal photostructural changes in the course of the Raman measurements. New Raman features are attributed to TO and LO vibrations of ZnSe nanocrystallites formed in the film under laser illumination. Depending on the laser wavelength and power density, the ZnSe nanocrystallites can experience tensile strain in the film due to a non-thermal photoplastic effect in the As2Se3 film resulting in a partial removal of the material from the laser spot. The tensile strain value, estimated from the TO and LO phonon frequency shift, is shown to reach up to 2.9 GPa |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | AIP Advances |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 9, iss. 6 |
Обозначение тома | [065212, 14 p.] |
Дата публикации | 2019 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Azhniuk |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | Yu. M. |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Solonenko |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. I. |
Расширение инициалов личного имени | Dmytro |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Sheremet |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | E. S. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Professor of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1988- |
Расширение инициалов личного имени | Evgeniya Sergeevna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\40027 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Dzhagan |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. |
Расширение инициалов личного имени | Volodymyr |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Loya |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. Yu. |
Расширение инициалов личного имени | Vasyl |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Grytsyshche |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | I. V. |
Расширение инициалов личного имени | Iaroslav |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Schulze |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. |
Расширение инициалов личного имени | Steffen |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Hietschold |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | M. |
Расширение инициалов личного имени | Michael |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Gomonnai |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
Расширение инициалов личного имени | Alexander |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Zahn |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. R. T. |
Расширение инициалов личного имени | Dietrich |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов |
Идентифицирующий признак | (2017- ) |
-- | 8118 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23551 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20210525 |
Правила каталогизации | RCR |
856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1063/1.5086974 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 664873 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.