Structural and optical study of Zn-doped As2Se3 thin films: Evidence for photoinduced formation of ZnSe nanocrystallites (Запись № 664873)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03006nlm1a2200433 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041944.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\36058
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\35939
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20210525a2019 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Structural and optical study of Zn-doped As2Se3 thin films: Evidence for photoinduced formation of ZnSe nanocrystallites
Первые сведения об ответственности Yu. M. Azhniuk, D. I. Solonenko, E. S. Sheremet [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 79 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Amorphous Zn-doped As2Se3 films with a nominal zinc content x up to 10 at.% were prepared by thermal evaporation. Their structure is characterized by atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX), X-ray photoemission spectroscopy (XPS), and Raman spectroscopy. The AFM data show a considerable increase of the film surface roughness for films with x > 5 at.%. A strong gradient of the Zn content decreasing into the film depth is confirmed by the EDX and XPS data. Heavily Zn-doped (above 7 at.%) As2Se3 films reveal photostructural changes in the course of the Raman measurements. New Raman features are attributed to TO and LO vibrations of ZnSe nanocrystallites formed in the film under laser illumination. Depending on the laser wavelength and power density, the ZnSe nanocrystallites can experience tensile strain in the film due to a non-thermal photoplastic effect in the As2Se3 film resulting in a partial removal of the material from the laser spot. The tensile strain value, estimated from the TO and LO phonon frequency shift, is shown to reach up to 2.9 GPa
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие AIP Advances
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 9, iss. 6
Обозначение тома [065212, 14 p.]
Дата публикации 2019
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Azhniuk
Часть имени, кроме начального элемента ввода Yu. M.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Solonenko
Часть имени, кроме начального элемента ввода D. I.
Расширение инициалов личного имени Dmytro
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sheremet
Часть имени, кроме начального элемента ввода E. S.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Professor of Tomsk Polytechnic University
Даты 1988-
Расширение инициалов личного имени Evgeniya Sergeevna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\40027
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Dzhagan
Часть имени, кроме начального элемента ввода V.
Расширение инициалов личного имени Volodymyr
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Loya
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. Yu.
Расширение инициалов личного имени Vasyl
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Grytsyshche
Часть имени, кроме начального элемента ввода I. V.
Расширение инициалов личного имени Iaroslav
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Schulze
Часть имени, кроме начального элемента ввода S.
Расширение инициалов личного имени Steffen
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Hietschold
Часть имени, кроме начального элемента ввода M.
Расширение инициалов личного имени Michael
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Gomonnai
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. V.
Расширение инициалов личного имени Alexander
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Zahn
Часть имени, кроме начального элемента ввода D. R. T.
Расширение инициалов личного имени Dietrich
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8118
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23551
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20210525
Правила каталогизации RCR
856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1063/1.5086974
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 664873
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.