Study of the Regularities of Low- and Super-Low-Energy High-intensity Metal Ion Beams Formation (Запись № 665450)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 04386nla2a2200481 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030042003.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\36649 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\34426 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20211004a2020 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические | |
| Кодированные данные о монографическом текстовом документе | a z 101zy |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Study of the Regularities of Low- and Super-Low-Energy High-intensity Metal Ion Beams Formation |
| Первые сведения об ответственности | A. I. Ryabchikov, A. I. Ivanova, D. O. Sivin [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 7 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | Low energy, high intensity ion implantation provides the ability to form ion-doped layers in metals and alloys at depths of tens and hundreds of micrometers [1], [2]. Ultra-high-dose implantation of low-energy ions is accompanied by significant ion sputtering of the irradiated surface. At ion irradiation fluences exceeding 1021 ion/cm 2 , the thickness of the ion-sputtered layer can exceed 100 ?m. When sputtering the sample surface layer, both matrix material and implanted dopant are sputtered, which leads to a decrease in the efficiency of dopants accumulation and a decrease in the ion-doped layer depth. One of the solutions to the problem of significant ion surface sputtering can be based on high-intensity implantation at ultra-low ion energy, when ion sputtering is minimized and provides only dynamic cleaning of the irradiated surface from contamination with oxides and carbides. The paper presents the results of studying the laws governing the formation of high-intensity low and ultra-low energy beams of metal ions using plasma of a pulsed and continuous vacuum arc discharge. The features and regularities of the formation of beams with a single-grid extraction system and ballistic focusing of ions in the drift space are studied at bias potentials amplitudes from 50 to 2000 V. The influence of grid cell sizes from 100 to, preliminary plasma injection into the drift space and the “electron shower” on the transport efficiency and ballistic focusing of high-intensity beams of titanium ions of low and ultra-low energy is studied. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 463 #0 - Уровень физической единицы | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\34152 |
| Заглавие | Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online) |
| Сведения, относящиеся к заглавию | proceedings of 7th International Congress, September 14-26, 2020, Tomsk, Russia |
| Первые сведения об ответственности | National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) ; ed. N. A. Ratakhin |
| Обозначение тома | [P. 648-652] |
| Дата публикации | 2020 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | ultra-low energy ion |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | high intensity ion beam |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | vacuum arc |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | plasma |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | ионы |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | ионные пучки |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | вакуумные дуги |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | плазма |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Ryabchikov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. I. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
| -- | physicist |
| Даты | 1950- |
| Расширение инициалов личного имени | Aleksandr Ilyich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\30912 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Ivanova |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. I. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1987- |
| Расширение инициалов личного имени | Anna Ivanovna |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36986 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Sivin |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. O. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Senior researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences |
| Даты | 1978- |
| Расширение инициалов личного имени | Denis Olegovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34240 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Dektyarev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. V. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | design engineer of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1957- |
| Расширение инициалов личного имени | Sergey Valentinovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\35672 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Korneva |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | O. S. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | engineer of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1988- |
| Расширение инициалов личного имени | Olga Sergeevna |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\37178 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Bunin |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. I. |
| Расширение инициалов личного имени | Aleksey Ivanovich |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Инженерная школа ядерных технологий |
| -- | Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов |
| -- | 7868 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23698 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20211004 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1109/EFRE47760.2020.9242010 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 665450 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.