Composition andband gap tailoring of crestalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires for enhanced photoelectrochemical performance (Запись № 665853)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03247nlm1a2200493 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030042017.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\37057
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\29125
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20211118a2018 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drnn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Composition andband gap tailoring of crestalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires for enhanced photoelectrochemical performance
Первые сведения об ответственности Li Jing, Liu Baodan, Wu Aimin [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 44 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Photoelectrochemical water splitting has emerged as an effective artificial photosynthesis technology to generate clean energy of H2 from sunlight. The core issue in this reaction system is to develop a highly efficient photoanode with a large fraction of solar light absorption and greater active surface area. In this work, we take advantage of energy band engineering to synthesize (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires with ZnO contents ranging from 10.3% to 47.6% and corresponding band gap tailoring from 3.08 to 2.77 eV on the basis of the Au-assisted VLS mechanism. The morphology of nanowires directly grown on the conductive substrate facilitates the charge transfer and simultaneously improves the surface reaction sites. As a result, a photocurrent approximately 10 times larger than that for a conventional powder-based photoanode is obtained, which indicates the potential of (GaN)1-x(ZnO)x nanowires in the preparation of superior photoanodes for enhanced water splitting. It is anticipated that the water-splitting capability of (GaN)1-x(ZnO)x nanowire can be further increased through alignment control for enhanced visible light absorption and reduction of charge transfer resistance.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Inorganic Chemistry
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 57, iss. 9
Обозначение тома [P. 5240-5248]
Дата публикации 2018
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин ширина
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин нанопроволоки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин твердые растворы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин фотосинтез
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин фотоаноды
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Li Jing
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Liu Baodan
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Wu Aimin
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Yang Bing
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Yang Wenjin
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Liu Fei
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Zhang Xinglai
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода An
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. V.
Дополнения к именам, кроме дат chemist
-- Researcher of Tomsk Polytechnic University, candidate of technical sciences
Даты 1972-
Расширение инициалов личного имени Vladimir Vilorievich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\33866
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Jiang Xin
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа новых производственных технологий
-- Научно-образовательный центр Н. М. Кижнера
-- 7872
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23556
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20211118
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.inorgchem.8b00277
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 665853
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.