The effect of MoO3 interlayer on electro-physical characteristics of the perovskite solar cells (Запись № 666166)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03533nlm1a2200517 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030042028.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\37370
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\22223
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20211209a2021 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие The effect of MoO3 interlayer on electro-physical characteristics of the perovskite solar cells
Первые сведения об ответственности A. K. Zeinidenov, T. Mukametkali, B. S. Iljyasov [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 38 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания This report shows that sequentially deposited CuPc and MoOx films are an effective hole-transport layer (HTL) for perovskite solar cells (PSCs). PSCs with only CuPc hole-transport layer have a low power conversion efficiency (PCE) of 3.51%, which mostly due to a poor fill factor (FF) of 29.4%. The incorporation of the MoOx interlayer between the CuPc layer and the anode (Ag) significantly boosted device FF and PCE up to 63.2% and 8.12%, respectively. The analysis of the impedance spectra of PSCs indicates that the MoOx interlayer reduces HTL resistance and increases the recombination resistance at the perovskite/HTL interface, which increases an effective charge carrier lifetime. Moreover, MoOx electric transport properties depends on the stoichiometry of the crystal structure, which can be varied by tuning vacuum level during the thermal sputtering of MoOx layers. PSCs based on the MoOx layer deposited at low vacuum (10-2 Pa) have reached PCE of 8.12% owing to the optimization of the interlayer energy levels and electric transport properties of MoOx films. In this work, we have developed the double hole-transport layer (HTL) for PSCs, which can prevent perovskite degradation on perovskite/HTL interface and hinder a severe charge recombination.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Synthetic Metals
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 281
Обозначение тома [116903, 7 p.]
Дата публикации 2021
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин perovskite solar cells
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин MoOx
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин hole transport layers
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин copper phthalocyanine
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин V-I characteristics
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин impedance spectroscopy
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин солнечные элементы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин слои
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин фталоцианин меди
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин спектроскопия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электрофизические характеристики
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Zeinidenov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. K.
Расширение инициалов личного имени Asylbek Kalkenovich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Mukametkali
Часть имени, кроме начального элемента ввода T.
Расширение инициалов личного имени Toktarbek
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Iljyasov
Часть имени, кроме начального элемента ввода B. S.
Расширение инициалов личного имени Boris Salmenovich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Aimukhanov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. K.
Расширение инициалов личного имени Aytbek Kalievich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Valiev
Часть имени, кроме начального элемента ввода D. T.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of material science
-- Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of Sciences
Даты 1987-
Расширение инициалов личного имени Damir Talgatovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\33772
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа новых производственных технологий
-- Отделение материаловедения
-- 7871
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23508
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20211209
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2021.116903
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 666166
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.