Preparation, Structure, and Properties of Track-Etched Membranes Based on Polylactic Acid (Запись № 666308)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 04065nlm1a2200529 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030042032.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\37512
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\37275
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20211216a2021 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Preparation, Structure, and Properties of Track-Etched Membranes Based on Polylactic Acid
Первые сведения об ответственности N. M. Ivanova, E. O. Filippova, S. I. Tverdokhlebov [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 35 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания New applications, in particular in medicine, require the creation of track-etched membranes (TMs) with fundamentally new properties. There are well-known TMs made from polycarbonate, polyimide, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polyvinylidene fluoride; that is, polymers characterized by high chemical resistance. This study focuses on the development of a membrane made of the biodegradable polymer polylactic acid (PLA). Films prepared from a 1% solution of polylactic acid with a molecular weight of Mw=121000 g/mol were taken as the initial matrix for TM fabrication. The films were irradiated with 1.2-MeV Xe ions at a fluence of 3.1•107 cm-2 on an IC-100 cyclotron. Etching was carried out in NaOH solutions of various concentrations (0.1, 1, or 2 mol/L) with varying the temperature from 18 to 70°С and the treatment time from 5 to 30 min. It has been revealed that the optimal treatment conditions for irradiated PLA films are etching in 1 M NaOH at a temperature of 44°C. This mode, with a time variation from 10 to 30 min, makes it possible to obtain through pores with a diameter of 0.6 to 1.5 µm with channel geometry close to cylindrical. It has been found that an increase in the etching time over 20 min leads to a decrease in the roughness of both membrane sides.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Membranes and Membrane Technologies
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 3, iss. 5
Обозначение тома [P. 282-290]
Дата публикации 2021
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин polylactic acid
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин track-etched membranes
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин pores
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин contact angle
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин etching
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин полимолочная кислота
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин трековые мембраны
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин поры
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин смачивание
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин травление
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин структура
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин свойства
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ivanova
Часть имени, кроме начального элемента ввода N. M.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- senior assistant of Tomsk Polytechnic University
Даты 1991-
Расширение инициалов личного имени Nina Mikhailovna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34210
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Filippova
Часть имени, кроме начального элемента ввода E. O.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- engineer at Tomsk Polytechnic University
Даты 1988-
Расширение инициалов личного имени Ekaterina Olegovna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\37038
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Tverdokhlebov
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. I.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical science
Даты 1961-
Расширение инициалов личного имени Sergei Ivanovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\30855
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Levkovich
Часть имени, кроме начального элемента ввода N. V.
Расширение инициалов личного имени Nataljya Vladimirovna
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Apel
Часть имени, кроме начального элемента ввода P. Yu.
Расширение инициалов личного имени Pavel Yurjevich
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа ядерных технологий
-- Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга
-- 7866
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23561
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8118
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23551
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20211216
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1134/S2517751621050073
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 666308
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.