Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties (Запись № 666980)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03268nlm1a2200445 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030042055.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\38184
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\20271
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20220209a2018 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties
Первые сведения об ответственности Qi Jia, Xin Ou, M. Langer [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 59 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания A nanofabrication method for the production of ultra-dense planar metallic nanowire arrays scalable to wafer-size is presented. The method is based on an efficient template deposition process to grow diverse metallic nanowire arrays with extreme regularity in only two steps. First, III-V semiconductor substrates are irradiated by a low-energy ion beam at an elevated temperature, forming a highly ordered nanogroove pattern by a “reverse epitaxy” process due to self-assembly of surface vacancies. Second, diverse metallic nanowire arrays (Au, Fe, Ni, Co, FeAl alloy) are fabricated on these III-V templates by deposition at a glancing incidence angle. This method allows for the fabrication of metallic nanowire arrays with periodicities down to 45 nm scaled up to wafer-size fabrication. As typical noble and magnetic metals, the Au and Fe nanowire arrays produced here exhibited large anisotropic optical and magnetic properties, respectively. The excitation of localized surface plasmon resonances (LSPRs) of the Au nanowire arrays resulted in a high electric field enhancement, which was used to detect phthalocyanine (CoPc) in surface-enhanced Raman scattering (SERS). Furthermore, the Fe nanowire arrays showed a very high in-plane magnetic anisotropy of approximately 412 mT, which may be the largest in-plane magnetic anisotropy field yet reported that is solely induced via shape anisotropy within the plane of a thin film.
461 ## - Уровень набора
Заглавие Nano Research
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 11, iss. 7
Обозначение тома [P. 3519–3528]
Дата публикации 2018
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин нанопроволоки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин оптические свойства
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин магнитные свойства
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин анизотропные свойства
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Qi Jia
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Xin Ou
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Langer
Часть имени, кроме начального элемента ввода M.
Расширение инициалов личного имени Manuel
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Schreiber
Часть имени, кроме начального элемента ввода B.
Расширение инициалов личного имени Benjamin
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Grenzer
Часть имени, кроме начального элемента ввода J.
Расширение инициалов личного имени Jorg
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Siles
Часть имени, кроме начального элемента ввода P. F.
Расширение инициалов личного имени Pablo
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Rodriguez (Rodriges) Contreras
Часть имени, кроме начального элемента ввода R. D.
Дополнения к именам, кроме дат Venezuelan physicist, doctor of science
-- Professor of Tomsk Polytechnic University
Даты 1982-
Расширение инициалов личного имени Raul David
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\39942
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа химических и биомедицинских технологий
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8120
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23537
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20220209
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1007/s12274-017-1793-y
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 666980
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.