Formation, Focusing and Transport of Highintensity, Low-Energy Metal Ion Beams (Запись № 667075)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03391nlm1a2200433 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030042058.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\38279
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20220221a2021 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drgn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Formation, Focusing and Transport of Highintensity, Low-Energy Metal Ion Beams
Первые сведения об ответственности A. I. Ryabchikov, A. E. Shevelev, D. O. Sivin [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 47 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания High-intensity implantation of low-energy ions into various materials demonstrates the formation of long, ionalloyed layers having a thickness of tens and hundreds of micrometers. A deep incorporation of alloying elements in materials is achieved, first of all, due to a stronger radiation-induced ion diffusion at ultrahigh current densities and radiation fluence ranging from 1020 to 1022 cm2, when the diffusion coefficient exceeds its classical value derived from Arrhenius theory by several orders of magnitude. Nevertheless, the generation of low-energy ions with energies of several or a few kiloelectronvolts at high current densities of several hundreds of milliamperes per square metre and their effective transport, is a sophisticated problem. The paper studies the ballistic focusing of high-intensity pulsed ion beams at 2 kV accelerating voltage, 800 ?s pulse time, 0.8 duty cycle, and their propagation through the preliminary injected low-density background plasma.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Russian Physics Journal
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 63, iss. 10
Обозначение тома [P. 1700-1712]
Дата публикации 2021
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин vacuum arc plasma
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин ion beam generation
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин ion implantation
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин плазма
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин ионные пучки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин ионная имплантация
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ryabchikov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. I.
Дополнения к именам, кроме дат Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences
-- physicist
Даты 1950-
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Ilyich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\30912
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Shevelev
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. E.
Дополнения к именам, кроме дат Physicist
-- Engineer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1990-
Расширение инициалов личного имени Aleksey Eduardovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\36832
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sivin
Часть имени, кроме начального элемента ввода D. O.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Senior researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences
Даты 1978-
Расширение инициалов личного имени Denis Olegovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34240
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Dektyarev
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. V.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- design engineer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1957-
Расширение инициалов личного имени Sergey Valentinovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\35672
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Korneva
Часть имени, кроме начального элемента ввода O. S.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- engineer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1988-
Расширение инициалов личного имени Olga Sergeevna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\37178
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа ядерных технологий
-- Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов
-- 7868
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23698
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20220221
Правила каталогизации RCR
856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1007/s11182-021-02224-6
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 667075
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.