Radioactivation Monitoring of the Density of Wear-Resistant AlN and CrN Coatings on Silicon (Запись № 667310)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03730nlm1a2200481 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030042106.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\38515
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\37711
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20220315a2021 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drgn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Radioactivation Monitoring of the Density of Wear-Resistant AlN and CrN Coatings on Silicon
Первые сведения об ответственности V. A. Ryzhkov, V. A. Tarbokov, E. A. Smolyansky, G. E. Remnev
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 5 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания A combination of two methods (nondestructive proton beam radioactivation analysis and optical microinterferometry) has been used for measuring the mass and linear thicknesses of AlN and CrN coatings deposited onto silicon substrates by means of magnetron sputtering. It is established that, at linear thickness from 2.2 to 5.7 μm, the density of deposits is close to that of bulk materials (3.26 g/cm3 for AlN and 5.9 g/cm3 for CrN), while the stoichiometry of nitrides can be controlled by varying the parameters of magnetron sputtering. The proposed method can also be used for determining the densities of metal carbide and oxide films used as wear-resistant coatings.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
338 ## - Примечание, относящееся к информации о финансировании
Финансирующая организация Российский фонд фундаментальных исследований
Номер проекта 20-21-00025/20
461 ## - Уровень набора
Заглавие Technical Physics Letters
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 47, iss. 7
Обозначение тома [P. 524-527]
Дата публикации 2021
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин density
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин radioactivation analysis
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин magnetron
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин microinterferometer
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин плотность
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин радиоактивный анализ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин магнетроны
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин износостойкие покрытия
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ryzhkov
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. A.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in nuclear physics
-- Senior Researcher, Tomsk Polytechnic University, Candidate of Physical and Mathematical Sciences
Даты 1958-
Расширение инициалов личного имени Vladislav Andreevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\44020
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Tarbokov
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. A.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of material science
-- Leading engineer of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences
Даты 1969-
Расширение инициалов личного имени Vladislav Aleksandrovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\41878
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Smolyansky
Часть имени, кроме начального элемента ввода E. A.
Дополнения к именам, кроме дат Physicist
-- Research Engineer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1985-
Расширение инициалов личного имени Egor Aleksandrovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\37673
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Remnev
Часть имени, кроме начального элемента ввода G. E.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences
Даты 1948-
Расширение инициалов личного имени Gennady Efimovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\31500
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8118
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23551
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа новых производственных технологий
-- Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий"
-- 7882
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23502
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20220315
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1134/S106378502105028X
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 667310
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.