Cu-Ir thin film alloy as a potential substrate for the heteroepitaxial diamond growth (Запись № 668051)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03258nlm1a2200433 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030042136.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\39275
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20220602a2022 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Cu-Ir thin film alloy as a potential substrate for the heteroepitaxial diamond growth
Первые сведения об ответственности S. P. Zenkin, A. V. Gaydaychuk, A. S. Mitulinsky, S. A. Linnik
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 19 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Due to a relatively low mismatch to the diamond lattice, iridium allows to produce high-quality heteroepitaxial diamond films. However, extremely high price of iridium motivates to find a suitable replacement. In this article, we focus on the new homogeneous Ir(Cu) alloy sputtered on the SrTiO3 as a potential substrate material for the diamond heteroepitaxy. We show that in magnetron-sputtered thin films copper can form a solid solution with iridium at concentrations up to 27 at.% with the same FCC structure. Ir(Cu) alloy can reduce using of iridium with the same quality of heteroepitaxial diamond production.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Materials Letters
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 321
Обозначение тома [132441, 4 p.]
Дата публикации 2022
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин diamond heteroepitaxy
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин Ir-Cu thin film
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин CVD diamond
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин гетероэпитаксия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин тонкие пленки
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Zenkin
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. P.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Researcher of Tomsk Polytechnic University
Даты 1988-
Расширение инициалов личного имени Sergey Petrovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\41880
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Gaydaychuk
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. V.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Postgraduate, Engineer - Researcher of Tomsk Polytechnic University
Даты 1984-
Расширение инициалов личного имени Alexander Valerievich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32876
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Mitulinsky
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. S.
Дополнения к именам, кроме дат electric power specialist
-- technician of Tomsk Polytechnic University
Даты 1998-
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Sergeevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\47113
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Linnik
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. A.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Engineer-Researcher of Tomsk Polytechnic University
Даты 1985-
Расширение инициалов личного имени Stepan Andreevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32877
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8118
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23551
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа новых производственных технологий
-- Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий"
-- 7882
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23502
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20220602
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1016/j.matlet.2022.132441
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 668051
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.