Cu-Ir thin film alloy as a potential substrate for the heteroepitaxial diamond growth (Запись № 668051)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 03258nlm1a2200433 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030042136.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\39275 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20220602a2022 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
102 ## - Страна публикации или производства | |
Страна публикации | |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Cu-Ir thin film alloy as a potential substrate for the heteroepitaxial diamond growth |
Первые сведения об ответственности | S. P. Zenkin, A. V. Gaydaychuk, A. S. Mitulinsky, S. A. Linnik |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: 19 tit.] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | Due to a relatively low mismatch to the diamond lattice, iridium allows to produce high-quality heteroepitaxial diamond films. However, extremely high price of iridium motivates to find a suitable replacement. In this article, we focus on the new homogeneous Ir(Cu) alloy sputtered on the SrTiO3 as a potential substrate material for the diamond heteroepitaxy. We show that in magnetron-sputtered thin films copper can form a solid solution with iridium at concentrations up to 27 at.% with the same FCC structure. Ir(Cu) alloy can reduce using of iridium with the same quality of heteroepitaxial diamond production. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | Materials Letters |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 321 |
Обозначение тома | [132441, 4 p.] |
Дата публикации | 2022 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | diamond heteroepitaxy |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | Ir-Cu thin film |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | CVD diamond |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | гетероэпитаксия |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | тонкие пленки |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Zenkin |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. P. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Researcher of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1988- |
Расширение инициалов личного имени | Sergey Petrovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\41880 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Gaydaychuk |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Postgraduate, Engineer - Researcher of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1984- |
Расширение инициалов личного имени | Alexander Valerievich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32876 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Mitulinsky |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. S. |
Дополнения к именам, кроме дат | electric power specialist |
-- | technician of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1998- |
Расширение инициалов личного имени | Aleksandr Sergeevich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\47113 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Linnik |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. A. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Engineer-Researcher of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1985- |
Расширение инициалов личного имени | Stepan Andreevich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32877 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов |
Идентифицирующий признак | (2017- ) |
-- | 8118 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23551 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Инженерная школа новых производственных технологий |
-- | Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий" |
-- | 7882 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23502 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20220602 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1016/j.matlet.2022.132441 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 668051 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.