Crystal Structure Defects in Titanium Nickelide after Abc Pressing at Lowered Temperature (Запись № 668166)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03967nlm1a2200505 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030042139.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\39390
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\39277
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20220627a2022 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Crystal Structure Defects in Titanium Nickelide after Abc Pressing at Lowered Temperature
Первые сведения об ответственности A. I. Lotkov, V. N. Grishkov, R. S. Laptev [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 74 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The experimental results regarding the effect of warm (573 K) abc pressing with an increase in the specified true strain, e, up to 9.55, on the microstructure and crystal structure defects (dislocations, vacancies) of the Ti49.8Ni50.2 (at %) alloy are presented. It is shown that all samples (regardless of e) have a two-level microstructure. The grains-subgrains of the submicrocrystalline scale level are in the volumes of large grains. The average sizes of both large grains and subgrain grains decrease with increasing e to 9.55 (from 27 to 12 µm and from 0.36 to 0.13 µm, respectively). All samples had a two-phase state (rhombohedral R and monoclinic B19′ martensitic phases) at 295 K. The full-profile analysis of X-ray reflections of the B2 phase obtained at 393 K shows that the dislocation density increases from 1014 m−2 to 1015 m−2 after pressing with e = 1.84 and reaches 2·1015 m−2 when e increases to 9.55. It has been established by positron annihilation lifetime spectroscopy that dislocations are the main type of defects in initial samples and the only type of defects in samples after abc pressing. The lifetime of positrons trapped by dislocations is 166 ps, and the intensity of this component increases from 83% in the initial samples to 99.4% after pressing with e = 9.55. The initial samples contain a component with a positron lifetime of 192 ps (intensity 16.4%), which corresponds to the presence of monovacancies in the nickel sublattice of the B2 phase (concentration ≈10−5). This component is absent in the positron lifetime spectra in the samples after pressing. The results of the analysis of the Doppler broadening spectroscopy correlate with the data obtained by the positron annihilation lifetime spectroscopy.
461 ## - Уровень набора
Заглавие Materials
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 15, iss. 12
Обозначение тома [4298, 15 p.]
Дата публикации 2022
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин titanium nickelide
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин abc pressing
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин dislocation density
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин vacancies
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин positron annihilation spectroscopy
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин никелид титана
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин позитронная спектроскопия
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Lotkov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. I.
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Ivanovich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Grishkov
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. N.
Расширение инициалов личного имени Viktor Nikolaevich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Laptev
Часть имени, кроме начального элемента ввода R. S.
Дополнения к именам, кроме дат physicist, specialist in the field of non-destructive testing
-- Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University, Assistant, Candidate of Sciences
Даты 1987-
Расширение инициалов личного имени Roman Sergeevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\31884
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Mironov
Часть имени, кроме начального элемента ввода Yu. P.
Расширение инициалов личного имени Yury Petrovich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Zhapova
Часть имени, кроме начального элемента ввода D. Yu.
Расширение инициалов личного имени Dorzhima Yurjevna
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Girsova
Часть имени, кроме начального элемента ввода N. V.
Расширение инициалов личного имени Nataljya Vasiljevna
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Gusarenko
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. A.
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Aleksandrovich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Barmina
Часть имени, кроме начального элемента ввода E. G.
Расширение инициалов личного имени Elena Georgievna
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Kashina
Часть имени, кроме начального элемента ввода O. N.
Расширение инициалов личного имени Olga Nikolaevna
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа ядерных технологий
-- Отделение экспериментальной физики
-- 7865
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23549
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20221026
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://earchive.tpu.ru/handle/11683/73242
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.3390/ma15124298
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 668166
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.