Crystal Structure Defects in Titanium Nickelide after Abc Pressing at Lowered Temperature (Запись № 668166)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 03967nlm1a2200505 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030042139.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\39390 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\39277 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20220627a2022 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Crystal Structure Defects in Titanium Nickelide after Abc Pressing at Lowered Temperature |
Первые сведения об ответственности | A. I. Lotkov, V. N. Grishkov, R. S. Laptev [et al.] |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: 74 tit.] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | The experimental results regarding the effect of warm (573 K) abc pressing with an increase in the specified true strain, e, up to 9.55, on the microstructure and crystal structure defects (dislocations, vacancies) of the Ti49.8Ni50.2 (at %) alloy are presented. It is shown that all samples (regardless of e) have a two-level microstructure. The grains-subgrains of the submicrocrystalline scale level are in the volumes of large grains. The average sizes of both large grains and subgrain grains decrease with increasing e to 9.55 (from 27 to 12 µm and from 0.36 to 0.13 µm, respectively). All samples had a two-phase state (rhombohedral R and monoclinic B19′ martensitic phases) at 295 K. The full-profile analysis of X-ray reflections of the B2 phase obtained at 393 K shows that the dislocation density increases from 1014 m−2 to 1015 m−2 after pressing with e = 1.84 and reaches 2·1015 m−2 when e increases to 9.55. It has been established by positron annihilation lifetime spectroscopy that dislocations are the main type of defects in initial samples and the only type of defects in samples after abc pressing. The lifetime of positrons trapped by dislocations is 166 ps, and the intensity of this component increases from 83% in the initial samples to 99.4% after pressing with e = 9.55. The initial samples contain a component with a positron lifetime of 192 ps (intensity 16.4%), which corresponds to the presence of monovacancies in the nickel sublattice of the B2 phase (concentration ≈10−5). This component is absent in the positron lifetime spectra in the samples after pressing. The results of the analysis of the Doppler broadening spectroscopy correlate with the data obtained by the positron annihilation lifetime spectroscopy. |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | Materials |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 15, iss. 12 |
Обозначение тома | [4298, 15 p.] |
Дата публикации | 2022 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | titanium nickelide |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | abc pressing |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | dislocation density |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | vacancies |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | positron annihilation spectroscopy |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | никелид титана |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | позитронная спектроскопия |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Lotkov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. I. |
Расширение инициалов личного имени | Aleksandr Ivanovich |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Grishkov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. N. |
Расширение инициалов личного имени | Viktor Nikolaevich |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Laptev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | R. S. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist, specialist in the field of non-destructive testing |
-- | Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University, Assistant, Candidate of Sciences |
Даты | 1987- |
Расширение инициалов личного имени | Roman Sergeevich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31884 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Mironov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | Yu. P. |
Расширение инициалов личного имени | Yury Petrovich |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Zhapova |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. Yu. |
Расширение инициалов личного имени | Dorzhima Yurjevna |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Girsova |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | N. V. |
Расширение инициалов личного имени | Nataljya Vasiljevna |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Gusarenko |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. A. |
Расширение инициалов личного имени | Aleksandr Aleksandrovich |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Barmina |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | E. G. |
Расширение инициалов личного имени | Elena Georgievna |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Kashina |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | O. N. |
Расширение инициалов личного имени | Olga Nikolaevna |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Инженерная школа ядерных технологий |
-- | Отделение экспериментальной физики |
-- | 7865 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23549 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20221026 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/73242 |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.3390/ma15124298 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 668166 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.