Effect of the Content of Silicon on the Optical Properties of Al-Si-N Coatings Irradiated with Carbon Ions in the Short-Pulse Implantation Mode (Запись № 668661)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 04576nlm1a2200613 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030042156.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\39898
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\35923
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20230116a2022 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Effect of the Content of Silicon on the Optical Properties of Al-Si-N Coatings Irradiated with Carbon Ions in the Short-Pulse Implantation Mode
Первые сведения об ответственности F. V. Konusov, S. K. Pavlov, A. L. Lauk [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 30 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The effect of short-pulse irradiation with 200-keV carbon ions on the optical and electrical properties of aluminum-nitride films and Al–Si–N coatings with variable atomic composition deposited by reactive magnetron sputtering on a silicon substrate is investigated. Absorption and luminescence centers are associated with growth and radiation-induced defects in nitrides and their simplest complexes. A change in the properties during irradiation occurs due to the accumulation of radiation defects and their association into complexes. Ion irradiation is accompanied by intense radiation and the thermal annealing of unstable defects. The dose dependences of the coating characteristics indicate their high radiation resistance, which are slightly inferior to coatings on steel substrates. The radiation resistance of the coatings is due to the limiting effect of growth defects on defect formation, the wide band gap of nitrides and the interaction of defects.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 16, iss. 5
Обозначение тома [P. 702-711]
Дата публикации 2022
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин aluminum nitride
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин coatings
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин growth defects
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин irradiation
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин radiation resistance
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин radiation-induced defects
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин absorption coefficient
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин interband absorption
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин band gap
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин localized states
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин нитрид алюминия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин покрытия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин дефекты
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин облучение
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин радиационная стойкость
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин радиационные дефекты
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин запрещенные зоны
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин локализованные состояния
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Konusov
Часть имени, кроме начального элемента ввода F. V.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Senior Researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences
Даты 1958-
Расширение инициалов личного имени Fedor Valerievich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32570
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Pavlov
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. K.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Engineer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1990-
Расширение инициалов личного имени Sergey Konstantinovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32875
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Lauk
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. L.
Дополнения к именам, кроме дат Physicist
-- Leading engineer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1957-
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Lukyanovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\37675
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Tarbokov
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. A.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of material science
-- Leading engineer of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences
Даты 1969-
Расширение инициалов личного имени Vladislav Aleksandrovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\41878
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Remnev (Remnyov)
Часть имени, кроме начального элемента ввода G. E.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences
Даты 1948-
Расширение инициалов личного имени Gennady Efimovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\31500
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Gadirov
Часть имени, кроме начального элемента ввода R. M.
Расширение инициалов личного имени Ruslan Mukhamedzhanovich
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8118
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23551
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа новых производственных технологий
-- Научно-производственная лаборатория "Импульсно-пучковых, электроразрядных и плазменных технологий"
-- 7882
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23502
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20230116
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1134/S1027451022050081
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 668661
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.