Recovery of LED Emission Power under the Exposure to γ-n-Pulse (Запись № 668826)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 03316nlm2a2200361 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030042201.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\40063 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\20681 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20230126a2022 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические | |
| Кодированные данные о монографическом текстовом документе | y z 100zy |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Recovery of LED Emission Power under the Exposure to γ-n-Pulse |
| Первые сведения об ответственности | F. F. Zhamaldinov, A. V. Gradoboev, K. N. Orlova, A. V. Simonova |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 17 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The article presents results of the study of the effect of LED power modes based on AlGaAs heterostructures (short-circuit, open circuit, and active mode with the passage of operating current during irradiation) on the resistance to ?-n-pulse exposure. Reduction of LED emission power under the influence of ?-n-pulse occurs in two stages irrespective of irradiation power mode, with each stage characterized by its own regularity and its own factor. Built-in electric field of p-n-junction does not contribute significantly to the degradation of LED power when exposed to ?-n-pulse. At irradiation of LED in active power mode after exposure to ?-n-pulse (Fn ? 1.5·1012n/cm2, D? ? 20 Gy (Si)) a recovery of LED power by the value of ?P is observed. Recovery of ?P power leads to reduction of the damage factor at the first stage, to increase of the LED resistance, and to shift of the boundary between the stages to the area of higher neutron fluences. It is supposed, that the observed jump-like increase of ?P radiation power under the influence of ?-n-pulse is caused by radiation-stimulated annealing of local mechanical stresses that is generated under the condition of passing of operating current through LED. |
| 461 #0 - Уровень набора | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\3526 |
| Заглавие | Journal of Physics: Conference Series |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 2261 : International Conference on Information and Electronics Engineering (ICIEE 2022) |
| Сведения, относящиеся к заглавию | 11th International Conference, 18-21 February 2022, Online |
| Обозначение тома | [012005, 7 p.] |
| Дата публикации | 2022 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Zhamaldinov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | F. F. |
| Расширение инициалов личного имени | Fail Firgatovich |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Gradoboev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
| Даты | 1952- |
| Расширение инициалов личного имени | Aleksandr Vasilyevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34242 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Orlova |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | K. N. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Associate Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences |
| Даты | 1985- |
| Расширение инициалов личного имени | Kseniya Nikolaevna |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33587 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Simonova |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
| -- | Assistant of the Department of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1990- |
| Расширение инициалов личного имени | Anastasia Vladimirovna |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\42263 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Инженерная школа ядерных технологий |
| -- | Отделение экспериментальной физики |
| -- | 7865 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23549 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20230126 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2261/1/012005 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 668826 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.