A universal substrate for the nanoscale investigation of two-dimensional materials (Запись № 669469)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 04142nlm1a2200517 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030042224.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\40709 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\40131 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20230517a2022 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | A universal substrate for the nanoscale investigation of two-dimensional materials |
| Первые сведения об ответственности | Tran Tuan Hoang, R. D. Rodriguez (Rodriges) Contreras, D. L. Cheshev [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 72 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | Since discovering two-dimensional materials, there has been a great interest in exploring, understanding, and taking advantage of their unique properties. Si/SiO2 is one of the most used substrates for the deposition and characterization of 2D materials due to its availability and optical contrast. This work goes beyond the conventional substrate and introduces highly-ordered pyrolytic graphite (HOPG) as universal support for investigating two-dimensional materials due to several unique properties such as chemical and temperature stability, intrinsic high flatness, reusability, electrical conductivity, ease of use, availability, and enhanced adhesion of two-dimensional materials. We demonstrate this by analyzing several 2D materials with advanced atomic force microscopy methods, Raman and photoluminescence spectroscopy with hyperspectral imaging, and scanning electron microscopy with elementary analysis imaging. The strong adhesion to HOPG allowed the instant deposition of different two-dimensional materials GaSe, MoS2, Zn2In2S5, talc, and h-BN. This feat is hard to accomplish on the conventional SiO2 substrate without polymer-assisted transfer. Moreover, this strong interaction can strain 2D materials deposited on HOPG, giving localized changes in reactivity, optical, and electronic properties. This effect is explored for selective Ag deposition on strained regions of 2D materials to activate photocatalytic reactions. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Applied Surface Science |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 604 |
| Обозначение тома | [154585, 10 p.] |
| Дата публикации | 2022 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | highly-oriented pyrolytic graphite |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | graphene substrate |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | 2D materials |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | straintronics |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | nanoscale characterization |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | пиролитический графит |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | графеновые материалы |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | стрейнтроника |
| 701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Tran Tuan Hoang |
| Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of nuclear technologies |
| -- | engineer of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1993- |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\47572 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Rodriguez (Rodriges) Contreras |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | R. D. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Venezuelan physicist, doctor of science |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1982- |
| Расширение инициалов личного имени | Raul David |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\39942 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Cheshev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. L. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Specialist in the field of material science |
| -- | Engineer of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 2000- |
| Расширение инициалов личного имени | Dmitry Leonidovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\47385 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Villa Pineda |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | N. E. |
| Дополнения к именам, кроме дат | chemical engineer |
| -- | Engineer of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1986- |
| Расширение инициалов личного имени | Nelson Enrrique |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\47266 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Aslam |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | M. A. |
| Расширение инициалов личного имени | Muhammad Awais |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Pesic |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | J. |
| Расширение инициалов личного имени | Jelena |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Matkovic |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. |
| Расширение инициалов личного имени | Aleksandar |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Sheremet |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | E. S. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1988- |
| Расширение инициалов личного имени | Evgeniya Sergeevna |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\40027 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Исследовательская школа химических и биомедицинских технологий |
| Идентифицирующий признак | (2017- ) |
| -- | 8120 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23537 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20230517 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.154585 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 669469 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.