Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts (Запись № 669559)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 03089nlm1a2200373 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030042227.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\40811 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\39668 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20230627a2022 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts |
| Первые сведения об ответственности | N. A. Torkhov, A. V. Gradoboev, V. Budnaev [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 63 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The results obtained here suggest that low-dose 60Co γ-irradiation (Dγ∼ 140 Gy) has a complex effect on close AuNi/n-n+-GaN{0001} Schottky contacts. This manifests in the disappearance of current steps in the initial section of the forward current-voltage curve, improvement in the average values of the ideality factor n, a decrease in the average values of the true Schottky barrier height ϕbn in the middle section and an increase in series resistance RS and enhancement of the inhomogeneous metal-semiconductor contact series resistance effect in the final section. In all cases, the observed changes are sustainable. A combination of the Zur-McGill-Smith close Schottky contact defect model, the inhomogeneous contact model and the radiation-induced defect formation model provides an explanation for the physical mechanisms of changes observed in electrophysical and instrumental characteristics after γ-irradiation. Such mechanisms are associated with changes in the electrophysical nature of GaN structural defects (dislocations and interface states) and degradation of the homogeneity of contact conductivity. This paper shows that the low-temperature anomaly also manifests itself in close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts subjected to γ-irradiation. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Semiconductor Science and Technology |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 37, iss. 10 |
| Обозначение тома | [105005, 18 p.] |
| Дата публикации | 2022 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Torkhov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | N. A. |
| Расширение инициалов личного имени | Nikolay Aleksandrovich |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Gradoboev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
| Даты | 1952- |
| Расширение инициалов личного имени | Aleksandr Vasilyevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34242 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Budnaev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. |
| Расширение инициалов личного имени | Vadim |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Ivonin |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | I. V. |
| Расширение инициалов личного имени | Ivan Varfolomeevich |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Novikov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. A. |
| Расширение инициалов личного имени | Vadim Aleksandrovich |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Инженерная школа ядерных технологий |
| -- | Отделение экспериментальной физики |
| -- | 7865 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23549 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20230627 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac7d71 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 669559 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.