Features of Helium-Vacancy Complex Formation at the Zr/Nb Interface (Запись № 669607)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03393nlm1a2200469 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030042228.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\40859
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\39643
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20230710a2023 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Features of Helium-Vacancy Complex Formation at the Zr/Nb Interface
Первые сведения об ответственности L. A. Svyatkin, D. V. Terenteva , R. S. Laptev
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 46 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания A first-principles study of the atomic structure and electron density distribution at the Zr/Nb interface under the influence of helium impurities and helium–vacancy complexes was performed using the optimised Vanderbilt pseudopotential method. For the determination of the preferred positions of the helium atom, the vacancy and the helium–vacancy complex at the interface, the formation energy of the Zr-Nb-He system has been calculated. The preferred positions of the helium atoms are in the first two atomic layers of Zr at the interface, where helium–vacancy complexes form. This leads to a noticeable increase in the size of the reduced electron density areas induced by vacancies in the first Zr layers at the interface. The formation of the helium–vacancy complex reduces the size of the reduced electron density areas in the third Zr and Nb layers as well as in the Zr and Nb bulk. Vacancies in the first niobium layer near the interface attract the nearest zirconium atoms and partially replenish the electron density. This may indicate a possible self-healing of this type of defect.
461 ## - Уровень набора
Заглавие Materials
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 16, iss. 10
Обозначение тома [3742, 11 p.]
Дата публикации 2023
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин nanoscale multilayer
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин coatings
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин helium
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин vacancy
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин zirconium/niobium interface
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин density functional theory
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин наноразмерные многослойные покрытия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин гелий
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин цирконий-ниобиевый сплав
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин теория функционала плотности
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Svyatkin
Часть имени, кроме начального элемента ввода L. A.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of Physical and Mathematical Sciences
Даты 1988-
Расширение инициалов личного имени Leonid Aleksandrovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34216
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Terenteva
Часть имени, кроме начального элемента ввода D. V.
Дополнения к именам, кроме дат физик
-- инженер Томского политехнического университета
Даты 1999-
Расширение инициалов личного имени Daria Vitalevna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\47301
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Laptev
Часть имени, кроме начального элемента ввода R. S.
Дополнения к именам, кроме дат physicist, specialist in the field of non-destructive testing
-- Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University, Assistant, Candidate of Sciences
Даты 1987-
Расширение инициалов личного имени Roman Sergeevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\31884
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа ядерных технологий
-- Отделение экспериментальной физики
-- 7865
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23549
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20230710
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.3390/ma16103742
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 669607
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.