Features of Helium-Vacancy Complex Formation at the Zr/Nb Interface (Запись № 669607)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 03393nlm1a2200469 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030042228.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\40859 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\39643 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20230710a2023 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
102 ## - Страна публикации или производства | |
Страна публикации | |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Features of Helium-Vacancy Complex Formation at the Zr/Nb Interface |
Первые сведения об ответственности | L. A. Svyatkin, D. V. Terenteva , R. S. Laptev |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: 46 tit.] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | A first-principles study of the atomic structure and electron density distribution at the Zr/Nb interface under the influence of helium impurities and helium–vacancy complexes was performed using the optimised Vanderbilt pseudopotential method. For the determination of the preferred positions of the helium atom, the vacancy and the helium–vacancy complex at the interface, the formation energy of the Zr-Nb-He system has been calculated. The preferred positions of the helium atoms are in the first two atomic layers of Zr at the interface, where helium–vacancy complexes form. This leads to a noticeable increase in the size of the reduced electron density areas induced by vacancies in the first Zr layers at the interface. The formation of the helium–vacancy complex reduces the size of the reduced electron density areas in the third Zr and Nb layers as well as in the Zr and Nb bulk. Vacancies in the first niobium layer near the interface attract the nearest zirconium atoms and partially replenish the electron density. This may indicate a possible self-healing of this type of defect. |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | Materials |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 16, iss. 10 |
Обозначение тома | [3742, 11 p.] |
Дата публикации | 2023 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | nanoscale multilayer |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | coatings |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | helium |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | vacancy |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | zirconium/niobium interface |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | density functional theory |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | наноразмерные многослойные покрытия |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | гелий |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | цирконий-ниобиевый сплав |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | теория функционала плотности |
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Svyatkin |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | L. A. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of Physical and Mathematical Sciences |
Даты | 1988- |
Расширение инициалов личного имени | Leonid Aleksandrovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34216 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Terenteva |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | физик |
-- | инженер Томского политехнического университета |
Даты | 1999- |
Расширение инициалов личного имени | Daria Vitalevna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\47301 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Laptev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | R. S. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist, specialist in the field of non-destructive testing |
-- | Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University, Assistant, Candidate of Sciences |
Даты | 1987- |
Расширение инициалов личного имени | Roman Sergeevich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31884 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Инженерная школа ядерных технологий |
-- | Отделение экспериментальной физики |
-- | 7865 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23549 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20230710 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.3390/ma16103742 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 669607 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.