High-Current Subnanosecond Switching by Semiconductor Devices for Pulsed Power Applications / S. N. Rukin [et al.]

Уровень набора: (RuTPU)RU\TPU\book\23311, 1-st International Congress on Radiation Physics, High Current Electronics, and Modification of Materials, proceedings, Tomsk, Russia, 24-29 September 2000 / 1-st International Congress on Radiation Physics, High Current Electronics, and Modification of Materials ; Tomsk Polytechnic University (TPU) = 2000Альтернативный автор-лицо: Rukin, S. N.;Darznek, S. A.;Lyubutin, S. K.;Mesyats, G. A., russian physicist, academican, vice-president of RAS, graduate of Tomsk Polytechnic Institute, 1936-, Gennady Andreyevich, 070;Slovikovskii, B. G.;Tsyranov, S. N.Язык: английский.Страна: Россия.Примечания о наличии в документе библиографии/указателя: References: p. 239 (6 tit.).Тематика: труды учёных ТПУ
Тэги из этой библиотеки: Нет тэгов из этой библиотеки для этого заглавия. Авторизуйтесь, чтобы добавить теги.
Оценка
    Средний рейтинг: 0.0 (0 голосов)
Нет реальных экземпляров для этой записи

References: p. 239 (6 tit.)

Для данного заглавия нет комментариев.

оставить комментарий.