Dielectric properties of boron nitride after high temperature implantation with ions / A. V. Kabyshev [et al.]

Уровень набора: (RuTPU)RU\TPU\book\73635, Korus 2004, the 8th Korea-Russia International Symposium on Science and Technology, June 26 - July 3, 2004, At Tomsk Politechnic University, Russia, proceedings / Novosibirsk State Technical University; Tomsk Polytechnic University = 2004-Альтернативный автор-лицо: Kabyshev, A. V., specialist in the field of electric power engineering, Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences, 1958-, Alexander Vasilievich;Konusov, F. V., physicist, Senior Researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences, 1958-, Fedor Valerievich;Lopatin, V. V., Doctor of physical and mathematical sciences, Professor of Tomsk Polytechnic University (TPU), 1947-, Vladimir Vasilyevich;Krivosheeva, N. V.Язык: английский.Страна: Россия.Примечания о наличии в документе библиографии/указателя: References: 9 tit..Тематика: труды учёных ТПУ
Тэги из этой библиотеки: Нет тэгов из этой библиотеки для этого заглавия. Авторизуйтесь, чтобы добавить теги.
Оценка
    Средний рейтинг: 0.0 (0 голосов)
Нет реальных экземпляров для этой записи

References: 9 tit.

Для данного заглавия нет комментариев.

оставить комментарий.