Planar channeling radiation by relativistic electrons in different structures of silicon carbide / B. Azadegan, S. B. Dabagov
Язык: английский.Страна: Россия.Примечания о наличии в документе библиографии/указателя: Библиогр.: 4 (назв.).Тематика: труды учёных ТПУ | релятивистские электроны | планарное каналирование | планарность | каналирование | карбид кремнияНет реальных экземпляров для этой записи
Библиогр.: 4 (назв.)
Для данного заглавия нет комментариев.
Личный кабинет оставить комментарий.