Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами / К. Н. Орлова

Уровень набора: Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке, сборник материалов XVI Международного молодежного форума, г. Харьков, 17-19 апреля 2012 г. / Украина, Министерство образования и науки ; Харьковский национальный университет радиоэлектроники (ХНУРЭ) = 2012Основной Автор-лицо: Орлова, К. Н., физик, доцент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, кандидат технических наук, 1985-, Ксения НиколаевнаКоллективный автор (вторичный): Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ), Кафедра естественного научного образования (ЕНО);Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ), Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)Язык: русский.Страна: Россия.Аудитория: .Тематика: труды учёных ТПУ | светодиоды | излучение | мощность | увеличение | AlGaInP | квантовые ямы
Тэги из этой библиотеки: Нет тэгов из этой библиотеки для этого заглавия. Авторизуйтесь, чтобы добавить теги.
Оценка
    Средний рейтинг: 0.0 (0 голосов)
Нет реальных экземпляров для этой записи

Для данного заглавия нет комментариев.

оставить комментарий.