Angular-of-incidence dependence of total yield of channeling radiation from relativistic electrons in thin Si and c crystals / S. Abdrashitov [et al.]
Язык: английский.Страна: Россия.Серия: Poster SessionПримечания о наличии в документе библиографии/указателя: [References: p. 36 (5 tit.)].Тематика: электронный ресурс | труды учёных ТПУ | релятивистские электроны | кремниевые кристаллы | излучения | угловая расходимость Ресурсы он-лайн:Щелкните здесь для доступа в онлайн | Щелкните здесь для доступа в онлайнНет реальных экземпляров для этой записи
Title screen.
[References: p. 36 (5 tit.)]
Adobe Reader
Для данного заглавия нет комментариев.
Личный кабинет оставить комментарий.