Моделирование процесса облучения и охлаждения кремния при проведении нейтронно-трансмутационного легирования на реакторе ИРТ-Т = Modeling of irradiation process and cooling silicon during of neutrontransmutation doping on the reactor IRT-T / Н. В. Смольников [и др.]

Уровень набора: (RuTPU)RU\TPU\conf\29207, Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине, сборник научных трудов V Международной научной конференции, 17-21 декабря 2018 г., Томск, в 2 ч. / Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Томский государственный педагогический университет (ТГПУ) ; под ред. О. Г. Берестневой [и др.] = 2018Альтернативный автор-лицо: Смольников, Н. В., специалист в области ядерных технологий, техник Томского политехнического университета, 1998-, Никита Викторович;Лебедев, И. И., специалист в области энергетики, инженер Томского политехнического университета, 1990-, Иван Игоревич;Аникин, М. Н., специалист в области ядерных технологий, инженер Томского политехнического университета, 1991-, Михаил Николаевич;Наймушин, А. Г., специалист в области ядерных технологий, доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук, 1986-, Артем ГеоргиевичКоллективный автор (вторичный): Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Физико-технический институт (ФТИ), Лаборатория № 33 ядерного реактора;Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Инженерная школа ядерных технологий, Отделение ядерно-топливного циклаЯзык: русский ; резюме, eng.Страна: Россия.Серия: Моделирование в научных исследованияхРезюме или реферат: Control of irradiation process and cooling silicon during of neutron-transmutation doping are important part of semiconductor obtaining, which realize due to neutron-physical calculation included neutron and gamma flux distribution into the experimental channel that shows unevenness of doping and quantity of energy release. Research was implemented with the help use of few computer model. One of these created to obtain neutron and gamma flux and another model allow obtaining temperature distribution in solid and liquid matter to assess cooling of natural circulation..Примечания о наличии в документе библиографии/указателя: [Библиогр.: с. 143 (2 назв.)].Тематика: электронный ресурс | труды учёных ТПУ | NTD | neutron-transmutation doping | research reactor IRT-T | silicon doping | MCU-PTR | исследовательские реакторы | облучение | легирование | охлаждение | кремний | нейтронно-трансмутационное легирование | ИРТ-Т Ресурсы он-лайн:Щелкните здесь для доступа в онлайн
Тэги из этой библиотеки: Нет тэгов из этой библиотеки для этого заглавия. Авторизуйтесь, чтобы добавить теги.
Оценка
    Средний рейтинг: 0.0 (0 голосов)
Нет реальных экземпляров для этой записи

Заглавие с титульного экрана

[Библиогр.: с. 143 (2 назв.)]

Control of irradiation process and cooling silicon during of neutron-transmutation doping are important part of semiconductor obtaining, which realize due to neutron-physical calculation included neutron and gamma flux distribution into the experimental channel that shows unevenness of doping and quantity of energy release. Research was implemented with the help use of few computer model. One of these created to obtain neutron and gamma flux and another model allow obtaining temperature distribution in solid and liquid matter to assess cooling of natural circulation.

Для данного заглавия нет комментариев.

оставить комментарий.