Total yield of channeling radiation from relativistic electrons in thin Si and W crystals / S. V. Abdrachitov [et al.]

Уровень набора: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Scientific JournalАльтернативный автор-лицо: Abdrachitov, S. V., physicist, assistant at Tomsk Polytechnic University, 1987-, Sergey Vladimirovich;Bogdanov, O. V., physicist, associate professor of Tomsk Polytechnic University, 1981-, Oleg Viktorovich;Dabagov, S. B.;Pivovarov, Yu. L., physicist, professor of Tomsk Polytechnic University, 1953-, Yuriy Leonidovich;Tukhfatullin, T. A., physicist, Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences, 1971-, Timur AhatovichКоллективный автор (вторичный): Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Физико-технический институт (ФТИ), Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ);Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Физико-технический институт (ФТИ), Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ)Язык: английский.Страна: .Резюме или реферат: Orientation dependences of channeling radiation total yield from relativistic 155-855 MeV electrons at both 〈1 0 0〉 axial and (1 0 0) planar channeling in thin silicon and tungsten crystals are studied by means of computer simulations. The model as well as computer code developed allows getting the quantitative results for orientation dependence of channeling radiation that can be used for crystal alignment in channeling experiments and/or for diagnostics of initial angular divergence of electron beam..Примечания о наличии в документе библиографии/указателя: [References: p. 62 (15 tit.)].Аудитория: .Тематика: электронный ресурс | труды учёных ТПУ Ресурсы он-лайн:Щелкните здесь для доступа в онлайн
Тэги из этой библиотеки: Нет тэгов из этой библиотеки для этого заглавия. Авторизуйтесь, чтобы добавить теги.
Оценка
    Средний рейтинг: 0.0 (0 голосов)
Нет реальных экземпляров для этой записи

Title screen

[References: p. 62 (15 tit.)]

Orientation dependences of channeling radiation total yield from relativistic 155-855 MeV electrons at both 〈1 0 0〉 axial and (1 0 0) planar channeling in thin silicon and tungsten crystals are studied by means of computer simulations. The model as well as computer code developed allows getting the quantitative results for orientation dependence of channeling radiation that can be used for crystal alignment in channeling experiments and/or for diagnostics of initial angular divergence of electron beam.

Для данного заглавия нет комментариев.

оставить комментарий.