Заглавие с экрана

[Библиогр.: с. 119 (5 назв.)]

Представлены результаты исследования стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами к облучению гамма-квантами 60Со. Исследования были выполнены на светодиодах (λ = 630 нм). Облучение проводили в пассивном режиме питания, т.е. без наложения электрического поля, а уровень воздействия характеризовали поглощенной дозой. Установлено, что снижение мощности излучения при облучении гамма-квантами происходит в две стадии. На первой стадии снижение мощности излучения является следствием радиационно-стимулированной перестройки исходных структурных дефектов, а на второй стадии - вследствие введения радиационных дефектов. На границе между первой и второй стадиями наблюдаются релаксационные процессы - частичное восстановление мощности излучения на фоне ее общего снижения. Выявлены гетероструктуры, для которых наблюдается ярко выраженный эффект малых доз - восстановление мощности излучения вследствие радиационно-стимулированной релаксации механических напряжений без образования дополнительных структурных дефектов. Данные процесс предшествует первой стадии снижения мощности излучения при облучении гамма-квантами. Кроме того, выявлены гетероструктуры, для которых наблюдается два дополнительных релаксационных процесса на первой стадии. Установлены соотношения, позволяющие описать изменение мощности излучения на выявленных стадиях.