Features of F[2] Centers Accumulation in Oxygen-Containing LiF Crystals / L. A. Lisitsyna, R. Kassymkanova, V. M. Lisitsyn

Уровень набора: (RuTPU)RU\TPU\network\4598, Advanced Materials Research : Advanced materials, synthesis, development and application, Scientific JournalОсновной Автор-лицо: Lisitsyna, L. A.Альтернативный автор-лицо: Kassymkanova, R.;Lisitsyn, V. M., Professor of Tomsk Politechnic University, candidate of physical and mathematical sciences, Russian physicist, 1939-, Viktor MikhailovichКоллективный автор (вторичный): Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Институт физики высоких технологий (ИФВТ), Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)Язык: английский.Серия: Diagnostics and Engineering of Novel MaterialsРезюме или реферат: A mechanism for correlated formation of intrinsic defects F[2] centers and impurity hole centers with hydrogen bond in oxygen-containing LiF crystals is suggested..Аудитория: .Тематика: электронный ресурс | труды учёных ТПУ | накопление | наноразмерные частицы | кристаллы Ресурсы он-лайн:Щелкните здесь для доступа в онлайн
Тэги из этой библиотеки: Нет тэгов из этой библиотеки для этого заглавия. Авторизуйтесь, чтобы добавить теги.
Оценка
    Средний рейтинг: 0.0 (0 голосов)
Нет реальных экземпляров для этой записи

Title screen

A mechanism for correlated formation of intrinsic defects F[2] centers and impurity hole centers with hydrogen bond in oxygen-containing LiF crystals is suggested.

Для данного заглавия нет комментариев.

оставить комментарий.