Structure-phase states of silumin surface layer after electron beam and high cycle fatigue / S. V. Konovalov [et al.]

Уровень набора: (RuTPU)RU\TPU\network\3526, Journal of Physics: Conference SeriesАльтернативный автор-лицо: Konovalov, S. V.;Alsaraeva, K. V.;Gromov, V. E.;Ivanov, Yu. F., physicist, Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences, 1955-, Yuriy FedorovichКоллективный автор (вторичный): Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Институт физики высоких технологий (ИФВТ), Кафедра наноматериалов и нанотехнологий (НМНТ)Язык: английский.Страна: .Резюме или реферат: Modification of eutectic silumin surface has been implemented by high-intensity pulsed electron beam. The irradiation mode has been revealed; it allows increasing silumin fatigue life in more than 3.5 times. It has been established that the main reason of this fact is the formation of a multiphase submicro- and nanosized structure. It has been elicited that the most danger stress concentrators are large silicon plates situated on the surface and near-surface layers..Примечания о наличии в документе библиографии/указателя: [References: 9 tit.].Аудитория: .Тематика: труды учёных ТПУ | электронный ресурс | структурно-фазовые состояния | силумины | поверхностные слои | электронные пучки | кремний | наноразмерные структуры Ресурсы он-лайн:Щелкните здесь для доступа в онлайн | Щелкните здесь для доступа в онлайн
Тэги из этой библиотеки: Нет тэгов из этой библиотеки для этого заглавия. Авторизуйтесь, чтобы добавить теги.
Оценка
    Средний рейтинг: 0.0 (0 голосов)
Нет реальных экземпляров для этой записи

Title screen

[References: 9 tit.]

Modification of eutectic silumin surface has been implemented by high-intensity pulsed electron beam. The irradiation mode has been revealed; it allows increasing silumin fatigue life in more than 3.5 times. It has been established that the main reason of this fact is the formation of a multiphase submicro- and nanosized structure. It has been elicited that the most danger stress concentrators are large silicon plates situated on the surface and near-surface layers.

Для данного заглавия нет комментариев.

оставить комментарий.