A high-current impulse implanter / A. V. Stepanov, V. I. Shamanin , G. E. Remnev

Уровень набора: Instruments and Experimental Techniques = 1956-Основной Автор-лицо: Stepanov, A. V., physicist, Researcher of Tomsk Polytechnic University, 1981-, Andrey VladimirovichАльтернативный автор-лицо: Shamanin, V. I.;Remnev, G. E., physicist, Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences, 1948-, Gennady EfimovichКоллективный автор (вторичный): Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Институт физики высоких технологий (ИФВТ), Лаборатория № 1Язык: английский.Страна: .Резюме или реферат: A high-current impulse implanter on the basis of a high-current ion diode with a radial magnetic field and preliminary plasma production is described. Plasma is formed at the diode anode using a negative voltage pulse that precedes an accelerating-voltage pulse. The pause between pulses is 500 ± 50 ns. Graphite is used as the emission coating on the anode. An ion beam with a current density in the diode focal plane of up to 80 A/cm2 was obtained. Analysis of the elemental composition of the ion beam using the time-of-flight technique showed that the ion beam consists mainly of С+and С+2 carbon ions and Н+ protons..Примечания о наличии в документе библиографии/указателя: [References: 9 tit.].Аудитория: .Тематика: электронный ресурс | труды учёных ТПУ Ресурсы он-лайн:Щелкните здесь для доступа в онлайн
Тэги из этой библиотеки: Нет тэгов из этой библиотеки для этого заглавия. Авторизуйтесь, чтобы добавить теги.
Оценка
    Средний рейтинг: 0.0 (0 голосов)
Нет реальных экземпляров для этой записи

Title screen

[References: 9 tit.]

A high-current impulse implanter on the basis of a high-current ion diode with a radial magnetic field and preliminary plasma production is described. Plasma is formed at the diode anode using a negative voltage pulse that precedes an accelerating-voltage pulse. The pause between pulses is 500 ± 50 ns. Graphite is used as the emission coating on the anode. An ion beam with a current density in the diode focal plane of up to 80 A/cm2 was obtained. Analysis of the elemental composition of the ion beam using the time-of-flight technique showed that the ion beam consists mainly of С+and С+2 carbon ions and Н+ protons.

Для данного заглавия нет комментариев.

оставить комментарий.