Angular distributions of fast electrons at planar channeling in silicon crystals / V. V. Kaplin [et al.]

Уровень набора: Physica Status Solidi (B): Basic ResearchАльтернативный автор-лицо: Kaplin, V. V., physicist, senior research fellow at Tomsk Polytechnic University, 1947-, Valery Viktorovich;Nurmagambetov, S. B.;Gridnev, V. I.;Rozum, E. I.;Pak, S.;Uglov, S. R., physicist, senior research fellow at Tomsk Polytechnic University, 1958-, Sergey Romanovich;Vorobiev, S. A., physicist, Senior researcher of Tomsk Polytechnic University, 1944-1992, Sergey AleksandrovichЯзык: английский.Резюме или реферат: Experimental and theoretical investigations for the orientation dependence of the angular distribution of 5. 6 Mev electrons transmitted through a silicon crystal in (110) and (111) planar directions are performed. The realization of atomic-type and molecular-type quantum states of channeled electrons as well as the effect of population of the definite states are observed..Тематика: электронный ресурс | труды учёных ТПУ Ресурсы он-лайн:Щелкните здесь для доступа в онлайн
Тэги из этой библиотеки: Нет тэгов из этой библиотеки для этого заглавия. Авторизуйтесь, чтобы добавить теги.
Оценка
    Средний рейтинг: 0.0 (0 голосов)
Нет реальных экземпляров для этой записи

Title screen

Experimental and theoretical investigations for the orientation dependence of the angular distribution of 5. 6 Mev electrons transmitted through a silicon crystal in (110) and (111) planar directions are performed. The realization of atomic-type and molecular-type quantum states of channeled electrons as well as the effect of population of the definite states are observed.

Для данного заглавия нет комментариев.

оставить комментарий.