The regularities of radiation defect formation at the interface metal -n-InP / E. G. Soboleva, V. V. Litvinenko, T. B. Krit

Основной Автор-лицо: Soboleva, E. G., physicist, Associate Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical Sciences, 1976-, Elvira GomerovnaАльтернативный автор-лицо: Litvinenko, V. V., Viktoriya Vladimirovna;Krit, T. B., Timofey BorisovichКоллективный автор (вторичный): Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ), Кафедра сварочного производства (КСП)Язык: английский.Резюме или реферат: New regularities in radiation defects formation in the space charge region were established for indium phosphide with application of the method of deep level transient spectroscopy. The given regulations differ markedly from the regulations in the neutral region. The authors develop physical models of these processes and their mathematical description. They also work out new concepts of the processes of radiation defects formation in indium phosphide based on taking into account charge states of defects and their recharge dynamics..Примечания о наличии в документе библиографии/указателя: [References: 10 tit.].Аудитория: .Тематика: электронный ресурс | труды учёных ТПУ | радиационные дефекты | фосфиды | спектроскопия Ресурсы он-лайн:Щелкните здесь для доступа в онлайн
Тэги из этой библиотеки: Нет тэгов из этой библиотеки для этого заглавия. Авторизуйтесь, чтобы добавить теги.
Оценка
    Средний рейтинг: 0.0 (0 голосов)
Нет реальных экземпляров для этой записи

Title screen

[References: 10 tit.]

New regularities in radiation defects formation in the space charge region were established for indium phosphide with application of the method of deep level transient spectroscopy. The given regulations differ markedly from the regulations in the neutral region. The authors develop physical models of these processes and their mathematical description. They also work out new concepts of the processes of radiation defects formation in indium phosphide based on taking into account charge states of defects and their recharge dynamics.

Для данного заглавия нет комментариев.

оставить комментарий.