The scheme of numerical optimization of the parameters of electrophysical processings in heterogeneuos solid elements = Схема численной оптимизации параметров электрофизических процессов в разнородных твердотельных элементах / V. A. Kalytka, M. V. Korovkin, A. I. Aliferov [et al.]
Уровень набора: Вестник Карагандинского университета. Серия ФизикаЯзык: английский ; резюме, rus.Страна: .Резюме или реферат: Describing the conceptual basis of universal mathematical model of the nonlinear physical processes in heterogeneous systems (bodies) perturbed by field and temperature influences. Determined the main directions of practical application (in the future) constructed upon based this model method for software and hardware. As an example, describing the algorithm of numerical calculation and optimization of the parameters of the relaxation processes during the polarization in compound dielectric lattice structure (in particular in proton semiconductors and dielectrics (PSCD)) with the help of minimizing comparison function method (MCF) of theoretical and experimental results. The basis of the MCF-method is necessary for the numerical comparison maxima points calculated by the formulas of the existing theory of proton relaxation and measured in the experiment.; В статье описаны концептуальные основы универсальной математической модели нелинейных физических процессов в разнородных системах (телах), возмущенных полевыми и температурными воздействиями. Определены основные направления практического применения построенного (в перспективе) на основе данной модели программно-аппаратного обеспечения. В качестве примера описывается алгоритм численного расчета и оптимизации параметров релаксационных процессов при поляризации диэлектриков со сложной структурой кристаллической решетки (в частности, в протонных полупроводниках и диэлектриках (ППД)) методом минимизации функции сравнения (МФС) результатов теории и эксперимента. В основу метода МФС положено численное сопоставление точек максимумов, рассчитанных по формулам существующей теории протонной релаксации и измеренных в эксперименте..Примечания о наличии в документе библиографии/указателя: [Библиогр.: с. 38-39 (23 назв.)].Тематика: труды учёных ТПУ | электронный ресурс | mathematical model of non-linear processes | elements of technologies schemas | proton semiconductors and dielectrics (PSCD) | proton semiconductors and dielectrics (PSCD) | minimizing comparison function method (MCF- method) | математические модели | нелинейные процессы | элементы | технологические схемы | полупроводники | диэлектрики | численная оптимизация | электрофизические параметры Ресурсы он-лайн:Щелкните здесь для доступа в онлайн[Библиогр.: с. 38-39 (23 назв.)]
Describing the conceptual basis of universal mathematical model of the nonlinear physical processes in heterogeneous systems (bodies) perturbed by field and temperature influences. Determined the main directions of practical application (in the future) constructed upon based this model method for software and hardware. As an example, describing the algorithm of numerical calculation and optimization of the parameters of the relaxation processes during the polarization in compound dielectric lattice structure (in particular in proton semiconductors and dielectrics (PSCD)) with the help of minimizing comparison function method (MCF) of theoretical and experimental results. The basis of the MCF-method is necessary for the numerical comparison maxima points calculated by the formulas of the existing theory of proton relaxation and measured in the experiment.
В статье описаны концептуальные основы универсальной математической модели нелинейных физических процессов в разнородных системах (телах), возмущенных полевыми и температурными воздействиями. Определены основные направления практического применения построенного (в перспективе) на основе данной модели программно-аппаратного обеспечения. В качестве примера описывается алгоритм численного расчета и оптимизации параметров релаксационных процессов при поляризации диэлектриков со сложной структурой кристаллической решетки (в частности, в протонных полупроводниках и диэлектриках (ППД)) методом минимизации функции сравнения (МФС) результатов теории и эксперимента. В основу метода МФС положено численное сопоставление точек максимумов, рассчитанных по формулам существующей теории протонной релаксации и измеренных в эксперименте.
Для данного заглавия нет комментариев.