Найдено 4 результатов.

Сортировать
Снять подсветку Подсветить
Выбрать всё Очистить всё
Выбрать заглавия:
Новая подборка
Результаты
1.
Effect of dislocation density on exciton luminescence intensity of GaN epitaxial layers / V. I. Oleshko [et al.]Уровень набора: Известия вузов. Физика / Томский государственный университет (ТГУ) = 1958-Доступность: Нет доступных экземпляров :

Добавить в подборку Добавить в корзину
2.
Luminescence of thin-film light-emitting diode structures upon excitation by a high-current electron beam = Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком / V. I. Oleshko [et al.]Уровень набора: Russian Physics Journal, Scientific JournalДоступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину
3.
Luminescence of Zinc Selenide Crystals Excited bу Electron Веаm Pulse / V. I. Oleshko [et al.]Уровень набора: Известия вузов. Физика, научный журнал = 1957-Доступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину
4.
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures / V. I. Oleshko, S. G. GorinaУровень набора: Technical Physics Letters, Scientific JournalДоступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину