Найдено 8 записей

Результаты
	1.	Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures = Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001) / G. F. Karavaev, V. N. Chernyshov, A. N. RazzhuvalovУровень набора: Russian Physics Journal, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	2.	A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures = “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001) / A. N. Razzhuvalov, S. N. GrinyaevУровень набора: Physics of the Solid State, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	3.	Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec = Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта / S. N. Grinyaev, A. N. RazzhuvalovУровень набора: Physics of the Solid State, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	4.	Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures = Гистерезис туннельного тока в двухбарьерный структурах W-GaN/AlGaN(0001) / A. N. Razzhuvalov, S. N. GrinyaevУровень набора: Semiconductors, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	5.	Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures = Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN/AlGaN (0001) / S. N. Grinyaev, A. N. RazzhuvalovУровень набора: Semiconductors, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	6.	The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures = Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) / S. N. Grinyaev, A. N. RazzhuvalovУровень набора: Semiconductors, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	7.	Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects / S. N. Grinyaev, A. N. RazzhuvalovУровень набора: Journal of Applied PhysicsДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	8.	Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects / A. N. Razzhuvalov, S. N. GrinyaevУровень набора: Superlattices and Microstructures, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)