Найдено 11 записей

Результаты
	1.	Deep levels of nitrogen vacancy complexes in graphite-like boron nitride / S. N. Grinyaev, F. V. Konusov, V. V. LopatinУровень набора: Physics of the Solid State, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	2.	Optical absorption of hexagonal boron nitride involving nitrogen vacancies and their complexes / S. N. Grinyaev [et al.]Уровень набора: Physics of the Solid State, Scientific Journal Доступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	3.	A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures = “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001) / A. N. Razzhuvalov, S. N. GrinyaevУровень набора: Physics of the Solid State, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	4.	Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec = Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта / S. N. Grinyaev, A. N. RazzhuvalovУровень набора: Physics of the Solid State, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	5.	Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures = Гистерезис туннельного тока в двухбарьерный структурах W-GaN/AlGaN(0001) / A. N. Razzhuvalov, S. N. GrinyaevУровень набора: Semiconductors, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	6.	Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures = Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN/AlGaN (0001) / S. N. Grinyaev, A. N. RazzhuvalovУровень набора: Semiconductors, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	7.	The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures = Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) / S. N. Grinyaev, A. N. RazzhuvalovУровень набора: Semiconductors, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	8.	Intervalley scattering of electrons by short-wave phonons in (GaAs)8(AlAs)8(001) superlattice / S. N. Grinyaev, L. N. Nikitina, V. G. TyuterevУровень набора: Superlattices and Microstructures, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	9.	Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects / S. N. Grinyaev, A. N. RazzhuvalovУровень набора: Journal of Applied PhysicsДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	10.	Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects / A. N. Razzhuvalov, S. N. GrinyaevУровень набора: Superlattices and Microstructures, Scientific JournalДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	11.	Effects of size quantization in the spectra and Γ − M transitions in (GaAs)m(AlAs)n(001) superlattices / S. N. Grinyaev, L. N. Nikitina, V. G. TyuterevУровень набора: Physica E: Low-dimensional Systems and NanostructuresДоступность: Щелкните здесь для доступа в онлайн : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)