| 000 | 09461nla2a2200637 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 269042 | ||
| 005 | 20231029215004.0 | ||
| 035 | _a(RuTPU)RU\TPU\book\292198 | ||
| 035 | _aRU\TPU\book\291397 | ||
| 090 | _a269042 | ||
| 100 | _a20140912d2014 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 135 | _adrnn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | _ai | |
| 182 | 0 | _ab | |
| 200 | 1 |
_aУсловие получения однородных наноразмерных резистивных плёнок Ni-Ti методом магнетронного распыления из двух источников _bЭлектронный ресурс _fВ. А. Васильев, А. В. Хошев |
|
| 203 |
_aТекст _cэлектронный |
||
| 215 | _a1 файл (204 Kb) | ||
| 230 | _aЭлектронные текстовые данные (1 файл : 204 Kb) | ||
| 300 | _aЗаглавие с титульного листа | ||
| 300 | _aЭлектронная версия печатной публикации | ||
| 320 | _a[Библиогр.: с. 177-178 (23 назв.)] | ||
| 330 | _aАктуальность работы обусловлена необходимостью формирования наноразмерных резистивных плёнок Ni-Ti с воспроизводимыми параметрами для использования в измерительных приборах, работающих в условиях повышенных температур. Цель работы: обоснование возможности, определение условия и режимов получения наноразмерных резистивных плёнок Ni-Ti с воспроизводимыми параметрами методом магнетронного распыления из двух источников для их применения в измерительных приборах. Методы исследования: использованы основные положения физики тонких плёнок, теории магнетронного распыления, теории эксперимента. Результаты: дана сравнительная оценка метода термического испарения в вакууме и метода магнетронного распыления, показаны преимущества последнего для формирования металлических тонких плёнок сложного состава; представлен анализ состояния исследований в области создания наноразмерных резистивных плёнок для измерительных приборов; показана перспективность исследования плёнок Ni-Ti и процесса их получения с использованием метода магнетронного распыления; сделано обоснование возможности, определены условия и режимы получения наноразмерных резистивных плёнок Ni-Ti с воспроизводимыми параметрами методом магнетронного распыления из двух источников; установлено, что при поддержании определённого соотношения плотностей токов на мишенях из Ni и Ti представляется возможным обеспечивать однородность и воспроизводимость параметров наноразмерных резистивных плёнок (электрического сопротивления, температурного коэффициента сопротивления); определено, что для обеспечения одинаковых скоростей распыления мишеней Ni и Ti плотность магнетронного тока на мишени Ni должна быть в 1,67 раз больше плотности магнетронного тока на мишени Ti. | ||
| 330 | _aНаноразмерные резистивные плёнки Ni-Ti, полученные на подложках из ситалла при указанном соотношении плотностей магнетронных токов на мишенях, имели значение температурного коэффициента сопротивления ~10-5 °C-1 (в диапазоне температур от минуc 70 до 200 °C). Материалы исследований могут служить основой для создания новых резистивных элементов измерительных приборов (датчиков давления, силы, ускорения и т. п.) с улучшенными техническими характеристиками, работающих в условиях повышенных температур | ||
| 330 | _aThe relevance of the work is caused by the necessity to form nanoscale resistive Ni-Ti films with reproducible parameters for being used in measuring devices operating at high temperatures. The main aim of the study is to prove the opportunities, to define the conditions and modes of producing nanoscale resistive Ni-Ti films with reproducible parameters by magnetron sputtering from two sources for their use in measuring instruments. The methods used in the study: the main principles of thin films physics, magnetron sputtering theory, the theory of the experiment. The results: The paper introduces the comparative evaluation of vacuum thermal evaporation method and magnetron sputtering method, shows the advantages of the latter in formation of metallic thin films of complex composition; introduces the analysis of the state of research in the field of developing nanoscale resistive films for measuring instruments; demonstrates the potential of researching Ni-Ti film and the process for their preparation using the method of magnetron sputtering. The author have proved the possibility, defined the conditions and procedure of obtaining nanoscale resistive Ni-Ti films with reproducible parameters by magnetron sputtering from two sources. It was ascertained that while maintaining a certain ratio of currents density on Ni and Ti targets it is possible to ensure the uniformity and reproducibility of the parameters of nanoscale resistive films (electrical resistivity, TCR). The authors determined that to provide the same speed of sputtering Ni and Ti targets the magnetron current density on Ni target should be 1,67 times higher than magnetron current density on Ti target. | ||
| 330 | _aNanoscale resistive Ni-Ti films obtained on glass-ceramic substrates at the specified ratio of magnetron currents densities on the targets had a value of temperature resistance coefficient of ~10-5 °C-1 (in the temperature range from minus 70 to 200 °C). The research materials can serve as the basis for developing new resistive elements of measuring instruments (pressure, force, acceleration sensors, etc.) with improved technical characteristics, operating in conditions of high temperatures. | ||
| 337 | _aAdobe Reader | ||
| 453 |
_tThe condition of producing homogeneous nanoscale resistive Ni-Ti films by magnetron sputtering from two sources _otranslation from Russian _fV. A. Vasilev, A. V. Khoshev _cTomsk _nTPU Press _d2014 _d2014 _aVasilev, Valery |
||
| 453 | _tBulletin of the Tomsk Polytechnic University | ||
| 453 | _tVol. 325, № 2 : Mathematics, Physics and Mechanics | ||
| 461 | 1 |
_0(RuTPU)RU\TPU\book\176237 _tИзвестия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] _fТомский политехнический университет (ТПУ) _d2000- |
|
| 463 | 1 |
_0(RuTPU)RU\TPU\book\291200 _x1684-8519 _tТ. 325, № 2 : Математика, физика и механика _v[С. 173-179] _d2014 _p166 с. |
|
| 610 | 1 | _aэлектронный ресурс | |
| 610 | 1 | _aнаноразмерные пленки | |
| 610 | 1 | _aрезистивные пленки | |
| 610 | 1 | _aникель | |
| 610 | 1 | _aтитан | |
| 610 | 1 | _aмагнетронное распыление | |
| 610 | 1 | _aвоспроизводимость | |
| 610 | 1 | _aдатчики | |
| 610 | 1 | _aэлектронные приборы | |
| 610 | _ananoscale film | ||
| 610 | _aresistive film | ||
| 610 | _aNi-Ti | ||
| 610 | _amagnetron sputtering | ||
| 610 | _areproducibility | ||
| 610 | _asensors | ||
| 610 | _aelectronic devices | ||
| 700 | 1 |
_aВасильев _bВ. А. _gВалерий Анатольевич _6z01712 |
|
| 701 | 1 |
_aХошев _bА. В. _gАлександр Вячеславович _6z02712 |
|
| 712 | 0 | 2 |
_aПензенский государственный университет (ПГУ) _2stltpush _3(RuTPU)RU\TPU\col\14718 _6z01700 |
| 712 | 0 | 2 |
_aПензенский государственный университет (ПГУ) _2stltpush _3(RuTPU)RU\TPU\col\14718 _6z02701 |
| 801 | 2 |
_aRU _b63413507 _c20190517 _gPSBO |
|
| 856 | 4 | _uhttp://earchive.tpu.ru/bitstream/11683/5333/1/bulletin_tpu-2014-325-2-23.pdf | |
| 942 | _cCF | ||