| 000 | 05095naa2a2200565 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 628879 | ||
| 005 | 20231030035718.0 | ||
| 035 | _a(RuTPU)RU\TPU\conf\29213 | ||
| 035 | _aRU\TPU\conf\29212 | ||
| 090 | _a628879 | ||
| 100 | _a20190114d2018 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 |
_arus _deng |
|
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _ay z 101zy | ||
| 135 | _adrcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | _ai | |
| 182 | 0 | _ab | |
| 200 | 1 |
_aМоделирование процесса облучения и охлаждения кремния при проведении нейтронно-трансмутационного легирования на реакторе ИРТ-Т _dModeling of irradiation process and cooling silicon during of neutrontransmutation doping on the reactor IRT-T _fН. В. Смольников [и др.] |
|
| 203 |
_aТекст _cэлектронный |
||
| 225 | 1 | _aМоделирование в научных исследованиях | |
| 230 | _a1 компьютерный файл (pdf; 564 Kb) | ||
| 300 | _aЗаглавие с титульного экрана | ||
| 320 | _a[Библиогр.: с. 143 (2 назв.)] | ||
| 330 | _aControl of irradiation process and cooling silicon during of neutron-transmutation doping are important part of semiconductor obtaining, which realize due to neutron-physical calculation included neutron and gamma flux distribution into the experimental channel that shows unevenness of doping and quantity of energy release. Research was implemented with the help use of few computer model. One of these created to obtain neutron and gamma flux and another model allow obtaining temperature distribution in solid and liquid matter to assess cooling of natural circulation. | ||
| 461 | 1 |
_0(RuTPU)RU\TPU\conf\29207 _tИнформационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине _oсборник научных трудов V Международной научной конференции, 17-21 декабря 2018 г., Томск _oв 2 ч. _fНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Томский государственный педагогический университет (ТГПУ) ; под ред. О. Г. Берестневой [и др.] _d2018 |
|
| 463 | 1 |
_0(RuTPU)RU\TPU\conf\29208 _tЧ. 1 _v[С. 139-143] _d2018 |
|
| 510 | 1 |
_aModeling of irradiation process and cooling silicon during of neutrontransmutation doping on the reactor IRT-T _zeng |
|
| 610 | 1 | _aэлектронный ресурс | |
| 610 | 1 | _aтруды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | _aNTD | |
| 610 | 1 | _aneutron-transmutation doping | |
| 610 | 1 | _aresearch reactor IRT-T | |
| 610 | 1 | _asilicon doping | |
| 610 | 1 | _aMCU-PTR | |
| 610 | 1 | _aисследовательские реакторы | |
| 610 | 1 | _aоблучение | |
| 610 | 1 | _aлегирование | |
| 610 | 1 | _aохлаждение | |
| 610 | 1 | _aкремний | |
| 610 | 1 | _aнейтронно-трансмутационное легирование | |
| 610 | 1 | _aИРТ-Т | |
| 701 | 1 |
_aСмольников _bН. В. _cспециалист в области ядерных технологий _cтехник Томского политехнического университета _f1998- _gНикита Викторович _2stltpush _3(RuTPU)RU\TPU\pers\42160 |
|
| 701 | 1 |
_aЛебедев _bИ. И. _cспециалист в области энергетики _cинженер Томского политехнического университета _f1990- _gИван Игоревич _2stltpush _3(RuTPU)RU\TPU\pers\32502 |
|
| 701 | 1 |
_aАникин _bМ. Н. _cспециалист в области ядерных технологий _cинженер Томского политехнического университета _f1991- _gМихаил Николаевич _2stltpush _3(RuTPU)RU\TPU\pers\32503 |
|
| 701 | 1 |
_aНаймушин _bА. Г. _cспециалист в области ядерных технологий _cдоцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук _f1986- _gАртем Георгиевич _2stltpush _3(RuTPU)RU\TPU\pers\26460 |
|
| 712 | 0 | 2 |
_aНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) _bФизико-технический институт (ФТИ) _bЛаборатория № 33 ядерного реактора _h6474 _2stltpush _3(RuTPU)RU\TPU\col\19896 |
| 712 | 0 | 2 |
_aНациональный исследовательский Томский политехнический университет _bИнженерная школа ядерных технологий _bОтделение ядерно-топливного цикла _h7864 _2stltpush _3(RuTPU)RU\TPU\col\23554 |
| 801 | 2 |
_aRU _b63413507 _c20190118 _gRCR |
|
| 856 | 4 | _uhttp://earchive.tpu.ru/handle/11683/52342 | |
| 942 | _cBK | ||