000 03898nla2a2200529 4500
001 642977
005 20231030040521.0
035 _a(RuTPU)RU\TPU\network\7965
035 _aRU\TPU\network\7187
090 _a642977
100 _a20150826a2015 k y0engy50 ba
101 0 _aeng
102 _aGB
105 _ay z 100zy
135 _adrgn ---uucaa
181 0 _ai
182 0 _ab
200 1 _aPhysics and chemistry of producing silicon-hydroxylapatite-titanium composite materials
_fO. A. Golovanova [et al.]
203 _aText
_celectronic
300 _aTitle screen
320 _a[References: 19 tit.]
330 _aIn the research, Si-HA poweders have been synthesized using SBF solution with different content of silicon. It was found that all the samples synthesized from the model solution of extracellular fluid under varying concentration of silicate ions are single-phase and repesent hydroxyapatite. The nature of the reagent containing SiO[44]- ions does not affect the hydroxyapatite structure. In the study of the surface and morphological characteristics of the phosphate coatings modified by silicon ions, it was found that as the degree of phosphate calcium substitution by SiO[44]- ions increases, the surface wettability on the titanium substrates deteriorates and cohesive energy decreases. It is shown that the titanium coating is formed in three stages. After irradiation of titanium substrates coated with Si-HA, the crystals can keep growing and the surface can keep regenerating.
333 _aРежим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
337 _aAdobe Reader
461 1 _0(RuTPU)RU\TPU\network\2008
_tIOP Conference Series: Materials Science and Engineering
463 1 _0(RuTPU)RU\TPU\network\7891
_tVol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
_oInternational Scientific Conference, 3-8 November 2014, Tomsk, Russia
_o[proceedings]
_v[012066, 8 p.]
_d2015
610 1 _aэлектронный ресурс
610 1 _aтруды учёных ТПУ
610 1 _aфизика
610 1 _aхимия
610 1 _aкомпозиционные материалы
610 1 _aфосфаты кальция
610 1 _aапатиты
610 1 _aнанокомпозиты
610 1 _aкристаллизация
610 1 _aбиологические жидкости
610 1 _aтитановые покрытия
701 1 _aGolovanova
_bO. A.
701 1 _aZayts
_bA. V.
701 1 _aPanova
_bT. V.
701 1 _aFrangulyan (Franguljyan)
_bТ. S.
_cspecialist in the field of electronics, dielectrics and semiconductors
_cleading researcher of Tomsk Polytechnic University, candidate of physical and mathematical Sciences
_f1940-
_gTamara Semenovna
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\pers\33975
712 0 2 _aНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
_bИнститут неразрушающего контроля (ИНК)
_bКафедра иностранных языков Института неразрушающего контроля (ИЯНК)
_h7143
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\col\18721
712 0 2 _aНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
_bИнститут неразрушающего контроля (ИНК)
_bПроблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭДиП)
_h194
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\col\19033
801 2 _aRU
_b63413507
_c20161212
_gRCR
856 4 _uhttp://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/81/1/012066
856 4 _uhttp://earchive.tpu.ru/handle/11683/14712
942 _cCF