000 04563nlm0a2200469 4500
001 657496
005 20231030041513.0
035 _a(RuTPU)RU\TPU\network\24026
090 _a657496
100 _a20180209d2017 k y0engy50 ba
101 0 _aeng
105 _ay z 100zy
135 _adrcn ---uucaa
181 0 _ai
182 0 _ab
200 1 _aFluctuations in the values of the activity parameters of micron iron powder after microwave irradiation
_fA. V. Mostovshchikov [et al.]
203 _aText
_celectronic
300 _aTitle screen
330 _aAt this research micron powder of alpha-iron had been irradiated by microwaves radiation with frequency of 9 GHz and power density of 80 W/cm2 for 4–40 seconds. It was found that the value of start oxidation temperature of powder was characterized by fluctuating values in the range 150–250°C with increase of exposure dose. In addition, the specific thermal effect of powder oxidation varied from 5870 to 7505 J/g with increase of irradiation absorbed dose. The degree of powder oxidation varied from 34.5 to 46.95%. The probable cause of these regularities is an increase the activity of iron powder and subsequent decrease of it under high power density microwaves.
333 _aРежим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
463 _tProgress in Electromagnetic Research Symposium (PIERS)
_oproceedings of the 38th international forum, St Petersburg, Russia, 22 - 25 May 2017
_v[P. 2712-2715]
_d2017
610 1 _aэлектронный ресурс
610 1 _aтруды учёных ТПУ
610 1 _aвлияние
610 1 _aрадиация
610 1 _aмикроволны
610 1 _aоксидиметрические методы
701 1 _aMostovshchikov
_bA. V.
_cChemist
_cEngineer of Tomsk Polytechnic University
_f1989-
_gAndrey Vladimirovich
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\pers\31091
701 1 _aIlyin
_bA. P.
_cchemist
_cProfessor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences
_f1949-
_gAleksandr Petrovich
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\pers\33060
701 1 _aChumerin
_bP. Yu.
_cphysicist
_cSenior researcher of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical science
_f1958-
_gPavel Yurievich
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\pers\32716
701 1 _aKalinich
_bI.
_cphysicist
_cTechnician of Tomsk Polytechnic University
_f1996-
_gIvan
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\pers\40083
701 1 _aTsybanev
_bA. S.
_gAleksandr Sergeevich
701 1 _aGubarev
_bF. A.
_cspecialist in the field of electronics
_cAssociate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences
_f1979-
_gFedor Aleksandrovich
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\pers\31657
712 0 2 _aНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
_bФизико-технический институт (ФТИ)
_bЛаборатория № 46
_h6476
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\col\19319
712 0 2 _aНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
_bИнститут физики высоких технологий (ИФВТ)
_bКафедра общей химии и химической технологии (ОХХТ)
_h7617
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\col\21253
712 0 2 _aНациональный исследовательский Томский политехнический университет
_bИнженерная школа ядерных технологий
_bНаучно-исследовательская лаборатория СВЧ-технологии
_h7869
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\col\23457
712 0 2 _aНациональный исследовательский Томский политехнический университет
_bИсследовательская школа химических и биомедицинских технологий
_c(2017- )
_h8120
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\col\23537
712 0 2 _aНациональный исследовательский Томский политехнический университет
_bШкола базовой инженерной подготовки
_bОтделение естественных наук (ОЕН)
_h8032
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\col\23562
801 1 _aRU
_b63413507
_c20141010
801 2 _aRU
_b63413507
_c20180209
_gRCR
856 4 _uhttps://doi.org/10.1109/PIERS.2017.8262212
942 _cCF