000 01880nlm0a2200421 4500
001 659342
005 20231030041625.0
035 _a(RuTPU)RU\TPU\network\27883
090 _a659342
100 _a20190212a2018 k y0engy50 ba
101 0 _aeng
105 _aa z 100zy
135 _adrcn ---uucaa
181 0 _ai
182 0 _ab
200 1 _a20th International Symposium on High-Current Electronics (ISHCE)
_eproceedings, Tomsk, Russia, September 16-22, 2018
_fNational Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
203 _aText
_celectronic
210 _a[S. l.]
_cIEEE
_d2018
300 _aTitle screen
333 _aРежим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
606 1 _aЭлектроника
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\subj\20310
610 1 _aконференции
610 1 _aтруды учёных ТПУ
610 1 _aэлектронный ресурс
610 1 _aсильноточная электроника
610 1 _aчисленное моделирование
610 1 _aионные пучки
610 1 _aвысокоэнергетические частицы
610 1 _aплазменные источники
610 1 _aэлектромагнитные волны
610 1 _aизлучение
675 _a621.38(063)
_v4
712 0 2 _aNational Research Tomsk Polytechnic University (TPU)
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\col\18773
712 0 2 _aInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
_2stltpush
_3(RuTPU)RU\TPU\col\14353
712 1 2 _aInternational Symposium on High-Current Electronics (ISHCE)
_cSymposium
_d20
_eTomsk
_f2018
801 2 _aRU
_b63413507
_c20191218
_gRCR
856 4 _uhttps://ieeexplore.ieee.org/xpl/mostRecentIssue.jsp?punumber=8496739
942 _cCF