The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures

20160513a2003 k y0engy50 ba

- Title screen

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001)


электронный ресурс
труды учёных ТПУ