The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures (Запись № 648242)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 02921nlm1a2200361 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030040830.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\13399 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\13395 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20160513a2003 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures |
| Параллельное заглавие | Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) |
| Первые сведения об ответственности | S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 225 1# - Серия | |
| Основное заглавие серии | Semiconductor Structures, Interfaces, And Surfaces |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 13 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The influence of internal fields on tunnelling current in w-GaN/AlxGa1?x N(0001) nitride structures with strained barrier layers is investigated by the pseudopotential and scattering-matrix methods. It is shown that, for symmetric two-barrier structures, spontaneous polarization and a piezoelectric field lead to asymmetry of the current-voltage characteristic when the direction of an external field is varied. Moreover, for asymmetric structures these phenomena cause the current to depend on the position of layers along the polar axis. In confined superlattices, internal fields form a Stark ladder of electron states, which manifests itself in current peaks for a relatively weak external field (?10 kV/cm). Pronounced features in the tunnel current are observed for layer thicknesses which are smaller in comparison with the GaAs/AlGaAs(001) structures by a factor of approximately 2. The dependence of tunnel current on the thickness and position of the layers, temperature, and degree of doping are explained from an analysis of the Stark effect for resonance states. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Semiconductors |
| Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 37, iss. 4 |
| Обозначение тома | [P. 433-438] |
| Дата публикации | 2003 |
| 510 1# - Параллельное заглавие | |
| Параллельное заглавие | Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) |
| Язык заглавия | русский |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Grinyaev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. N. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical science |
| Даты | 1951- |
| Расширение инициалов личного имени | Sergey Nikolaevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32574 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Razzhuvalov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. N. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | associate Professor of Tomsk Polytechnic University, candidate of physico-mathematical Sciences |
| Даты | 1976- |
| Расширение инициалов личного имени | Alexander Nikolaevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36680 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20160513 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1134/1.1568463 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 648242 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.