Modeling of carbon penetration into silicon structure under the action of pulsed high-intensity ion beam

20170206a2016 k y0engy50 ba

- Title screen


электронный ресурс
труды учёных ТПУ
ионные пучки
концентрация
имплантация
численное моделирование
задача Стефана
углерод
кремний
импульсные пучки