Modeling of carbon penetration into silicon structure under the action of pulsed high-intensity ion beam (Запись № 653050)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 02865nlm0a2200445 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030041205.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\18435 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\17891 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20170206a2016 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические | |
| Кодированные данные о монографическом текстовом документе | y z 100zy |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Modeling of carbon penetration into silicon structure under the action of pulsed high-intensity ion beam |
| Первые сведения об ответственности | N. E. Aktaev, G. E. Remnev |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: p. 57 (18 tit.)] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The action of high-intensity beam of carbon ions on a silicon sample is studied by means of a numerical modelling revealing formation of the in-depth carbon concentration profile in crystal lattice of silicon. We investigated three ways of the profile forming: short-pulsed ion implantation, recoil atoms mechanism and thermal diffusion of the carbon atoms adsorbed on the silicon surface. The latter is the result of high temperature gradient associated with the action of pulsed high-intensity ion beam. It is argued that the diffusion process plays the major role in forming of the concentration profile in the pre-surface layer of a silicon sample. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Surface and Coatings Technology |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 306, Pt. A : Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB 2015) |
| Обозначение тома | [P. 54–57] |
| Сведения, относящиеся к заглавию | The 19th International Conference, 25 November 2016 |
| Дата публикации | 2016 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | ионные пучки |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | концентрация |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | имплантация |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | численное моделирование |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | задача Стефана |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | углерод |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | кремний |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | импульсные пучки |
| 700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Aktaev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | N. E. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | research engineer of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1985- |
| Расширение инициалов личного имени | Nurken Erbolatovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33514 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Remnev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | G. E. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
| Даты | 1948- |
| Расширение инициалов личного имени | Gennady Efimovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31500 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |
| -- | Лаборатория № 1 |
| -- | 6378 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\19035 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20170206 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2016.04.050 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 653050 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.