Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells

20191107a2019 k y0engy50 ba

- Title screen


электронный ресурс
труды учёных ТПУ
AlGaInP
Heterostructures
Light Emitting Diodes
гетероструктуры
светодиоды
радиационная стойкость
квантовые ямы