Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells (Запись № 660930)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 03940nla2a2200445 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030041728.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\31068 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\31057 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20191107a2019 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
102 ## - Страна публикации или производства | |
Страна публикации | |
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические | |
Кодированные данные о монографическом текстовом документе | y z 100zy |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drgn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells |
Первые сведения об ответственности | A. V. Gradoboev, K. N. Orlova, A. V. Simonova |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | Neutron degradation of LEDs based upon AlGaInP heterostructures ([lambda]=630 nm and [lambda]=590 nm) with multiple quantum wells are presented in the article. For the initial red LED ([lambda]=630 nm) we can clearly distinguish three characteristic regions. In the small current region a low electron injection mode into the active region of the LEDs is observed. Further, as the operating current goes up, there are average and high electron injection in the active LEDs area regions. However, for the LEDY, the difference in the average and high electron injection regions is more pronounced and low electron injection region is absent. The boundary between the average and high electron injection regions can be characterized by the boundary current, which goes up with increasing exposure level. Three regions of electron injection in the active area of LEDs: low, average and high electron injection are illustrated for both types of LEDs under fast neutron irradiation. Based on the established relationships describing the emission power changing, a phenomenological model of the radiation hardness of LEDs based on AlGaInP heterostructures with MQW was shown. The LEDs radiation hardness is determined by the boundary current value, emission power in the low electron injection into the active LEDs area, the initial defective structure. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 #0 - Уровень набора | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\24092 |
Заглавие | Materials Science Forum |
Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
463 #0 - Уровень физической единицы | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\30892 |
Заглавие | Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II |
Сведения, относящиеся к заглавию | September 2019, Tomsk, Russia |
Первые сведения об ответственности | National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; ed. A. P. Surzhikov |
Обозначение тома | [P. 167-176] |
Дата публикации | 2019 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | AlGaInP |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | Heterostructures |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | Light Emitting Diodes |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | гетероструктуры |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | светодиоды |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | радиационная стойкость |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | квантовые ямы |
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Gradoboev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
Даты | 1952- |
Расширение инициалов личного имени | Aleksandr Vasilyevich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34242 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Orlova |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | K. N. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Associate Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences |
Даты | 1985- |
Расширение инициалов личного имени | Kseniya Nikolaevna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33587 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Simonova |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
-- | Assistant of the Department of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1990- |
Расширение инициалов личного имени | Anastasia Vladimirovna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\42263 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности |
-- | Отделение контроля и диагностики |
-- | 7978 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23584 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20191107 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.970.167 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 660930 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.