Effect of substrate bias and substrate/plasma generator distance on properties of a-C:H:SiOx films synthesized by PACVD
20210409d2019 k y0engy50 ba
- Title screen
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
A-C:H:SiOx films
PACVD
substrate bias
raman spectroscopy
Fourier transform infrared spectroscopy
wettability
пленки
рамановская спектроскопия
инфракрасная спектроскопия
смачиваемость
подложки
- Title screen
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
A-C:H:SiOx films
PACVD
substrate bias
raman spectroscopy
Fourier transform infrared spectroscopy
wettability
пленки
рамановская спектроскопия
инфракрасная спектроскопия
смачиваемость
подложки