Effect of substrate bias and substrate/plasma generator distance on properties of a-C:H:SiOx films synthesized by PACVD (Запись № 664325)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 04660nlm0a2200577 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041925.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\35509
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\32698
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20210409d2019 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Effect of substrate bias and substrate/plasma generator distance on properties of a-C:H:SiOx films synthesized by PACVD
Первые сведения об ответственности A. S. Grenaderov, A. A. Soloviev (Solovyev), K. V. Oskomov [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 35 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания In this paper the a-C:H:SiOx films were synthesized on silicon (100) and glass substrates by plasma-assisted chemical vapor deposition combined with pulsed bipolar substrate bias from mixtures of argon and polyphenylmethylsiloxane vapor. The process of a-C:H:SiOx films formation was investigated by controlling processing conditions such as amplitude of negative pulse of substrate bias and the distance between the substrate and plasma generator. Physico-mechanical characteristics of a-C:H:SiOx films were studied by the nanoindentation technique, atomic force microscopy, Fourier transform infrared and Raman spectroscopy. The contact angle and surface free energy were determined by the sessile drop method using couple liquids (water and glycerin). It was found that the films' properties are interrelated with the density of the ion current on the substrate, which was measured using a guarded planar probe. The obtained results show that film prepared at the smaller substrate/plasma generator distance and optimal substrate biasing has a higher content of sp3 bonded carbon and, accordingly, has higher hardness, Young's modulus and resistance to plastic deformation. At the same time the a-C:H:SiOx films show large hydrophobicity with a contact angle for water of about 91° and small total surface free energy of about 17.9 mN/m.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Thin Solid Films
Дата публикации 1967-
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 669
Обозначение тома [P. 253-261]
Дата публикации 2019
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин A-C:H:SiOx films
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин PACVD
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин substrate bias
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин raman spectroscopy
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин Fourier transform infrared spectroscopy
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин wettability
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин пленки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин рамановская спектроскопия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин инфракрасная спектроскопия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин смачиваемость
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин подложки
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Grenaderov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. S.
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Sergeevich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Soloviev (Solovyev)
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. A.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of hydrogen energy
-- Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences
Даты 1977-
Расширение инициалов личного имени Andrey Aleksandrovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\30863
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Oskomov
Часть имени, кроме начального элемента ввода K. V.
Расширение инициалов личного имени Konstantin Vladimirovich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Rabotkin
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. V.
Расширение инициалов личного имени Sergey Viktorovich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Elgin
Часть имени, кроме начального элемента ввода Yu. I.
Расширение инициалов личного имени Yury Igorevich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sypchenko
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. S.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University, assistant
Даты 1987-
Расширение инициалов личного имени Vladimir Sergeevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\33791
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ivanova
Часть имени, кроме начального элемента ввода N. M.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- senior assistant of Tomsk Polytechnic University
Даты 1991-
Расширение инициалов личного имени Nina Mikhailovna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34210
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа ядерных технологий
-- Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга
-- 7866
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23561
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа ядерных технологий
-- Отделение экспериментальной физики
-- 7865
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23549
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8118
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23551
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20210409
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.11.005
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 664325
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.